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BF840/T1

BF840/T1 NXP

BF840uigiluhklh.pdf
Produktcode: 57671
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Hersteller: NXP
Gehäuse: SOT-23
Transitfrequenz fT: 380 MHz
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 40 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 40 V
Kollektorstrom Ic, A: 0,25 A
Montage: SMD
auf Bestellung 1184 St.:
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BF840 BF840 JGSEMI TBF840_JGS_JGSEMI_0001.pdf Transistor NPN; 222; 250mW, 40V; 25mA; 380MHz, -65°C ~ 150°C; Equivalent: BF840,215; BF840,235; TBF840; BF840 JGSEMI TBF840 JGS
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
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BF840 TBF840_JGS_JGSEMI_0001.pdf
BF840
Hersteller: JGSEMI
Transistor NPN; 222; 250mW, 40V; 25mA; 380MHz, -65°C ~ 150°C; Equivalent: BF840,215; BF840,235; TBF840; BF840 JGSEMI TBF840 JGS
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Produktcode: 20409
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Hersteller: NXP/Philips
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
Transitfrequenz fT: 300 МГц
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 160 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 180 V
Kollektorstrom Ic, A: 0,3 A
Montage: SMD
verfügbar: 575 St.
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  • 455 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
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Hersteller: Infineon
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
Transitfrequenz fT: 250 MHz
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 30 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 30 V
Kollektorstrom Ic, A: 0,1 A
Stromverstärkung h21: 800
Montage: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
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Hersteller: NXP
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-92
Transitfrequenz fT: 500 MHz
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 15 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 40 V
Kollektorstrom Ic, A: 0,2 A
Stromverstärkung h21: 120
Montage: THT
auf Bestellung 1142 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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PMBT5401
Produktcode: 1399
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PMBT5401.pdf
PMBT5401
Hersteller: NXP
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: SOT-23
Grenzfrequenz fT, MHz: 300 MHz
Spannung Uce, V: 150 V
Spannung Ucb, V: 160 V
Strom Ic, A: 0,3 A
Stromverstärkung h21, max: 240
auf Bestellung 115 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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1000+0.038 EUR
10000+0.037 EUR
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IRLML2402TRPBF
Produktcode: 1173
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irlml2402pbf.pdf
IRLML2402TRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Drain-Source-Spannung Uds, V: 20 V
Drain-Strom Idd, A: 1,2 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,25 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 110/2,6
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: SMD
auf Bestellung 3551 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.29 EUR
10+0.24 EUR
100+0.14 EUR
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