BFG520W/X,115 NXP Semiconductors
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Technische Details BFG520W/X,115 NXP Semiconductors
Description: RF TRANS NPN 15V 9GHZ 4SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-343 Reverse Pinning, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 175°C (TJ), Power - Max: 500mW, Current - Collector (Ic) (Max): 70mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 20mA, 6V, Frequency - Transition: 9GHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 2.1dB @ 900MHz, Supplier Device Package: 4-SO.
Weitere Produktangebote BFG520W/X,115
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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BFG520W/X,115 | Hersteller : NXP USA Inc. |
 Description: RF TRANS NPN 15V 9GHZ 4SOPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-343 Reverse Pinning Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 175°C (TJ) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 70mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 20mA, 6V Frequency - Transition: 9GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 2.1dB @ 900MHz Supplier Device Package: 4-SO |
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