Technische Details BFG541,115 NXP
Description: RF TRANS NPN 15V 9GHZ SC-73, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 175°C (TJ), Power - Max: 650mW, Current - Collector (Ic) (Max): 120mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 40mA, 8V, Frequency - Transition: 9GHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2.4dB @ 900MHz, Supplier Device Package: SC-73, Part Status: Obsolete.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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BFG541,115 | NXP USA Inc. |
 Description: RF TRANS NPN 15V 9GHZ SC-73Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 175°C (TJ) Power - Max: 650mW Current - Collector (Ic) (Max): 120mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 40mA, 8V Frequency - Transition: 9GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2.4dB @ 900MHz Supplier Device Package: SC-73 Part Status: Obsolete |
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BFG541,115 | NXP Semiconductors |
RF Bipolar Transistors NPN 15V 9GHZ |
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| BFG541,115 | onsemi / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT |
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BFG541,115 | NXP |
Description: NXP - BFG541,115 - RF WIDEBAND TRANSISTOR, NPN, 15V, 9GHZ, Transistormontage: Surface Mount DC-Stromverstärkung hFE: 120 Verlustleistung Pd: 650 Übergangsfrequenz ft: 9 Bauform - HF-Transistor: SOT-223 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 15 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 120 Betriebstemperatur, max.: 175 SVHC: To Be Advised |
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| BFG541,115 |
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Hersteller: NXP USA Inc.
Description: RF TRANS NPN 15V 9GHZ SC-73
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Power - Max: 650mW
Current - Collector (Ic) (Max): 120mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 40mA, 8V
Frequency - Transition: 9GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2.4dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SC-73
Part Status: Obsolete
Description: RF TRANS NPN 15V 9GHZ SC-73
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Power - Max: 650mW
Current - Collector (Ic) (Max): 120mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 40mA, 8V
Frequency - Transition: 9GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2.4dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SC-73
Part Status: Obsolete
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| BFG541,115 |
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Hersteller: NXP Semiconductors
RF Bipolar Transistors NPN 15V 9GHZ
RF Bipolar Transistors NPN 15V 9GHZ
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| BFG541,115 |
|
Hersteller: onsemi / Fairchild
Bipolar Transistors - BJT
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| BFG541,115 |
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Hersteller: NXP
Description: NXP - BFG541,115 - RF WIDEBAND TRANSISTOR, NPN, 15V, 9GHZ,
Transistormontage: Surface Mount
DC-Stromverstärkung hFE: 120
Verlustleistung Pd: 650
Übergangsfrequenz ft: 9
Bauform - HF-Transistor: SOT-223
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 15
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 120
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: To Be Advised
Description: NXP - BFG541,115 - RF WIDEBAND TRANSISTOR, NPN, 15V, 9GHZ,
Transistormontage: Surface Mount
DC-Stromverstärkung hFE: 120
Verlustleistung Pd: 650
Übergangsfrequenz ft: 9
Bauform - HF-Transistor: SOT-223
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 15
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 120
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: To Be Advised
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