BFG591,115
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Technische Details BFG591,115
Description: RF TRANS NPN 15V 7GHZ SOT223, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Power - Max: 2W, Current - Collector (Ic) (Max): 200mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 70mA, 8V, Frequency - Transition: 7GHz, Supplier Device Package: SC-73, Part Status: Obsolete.
Weitere Produktangebote BFG591,115
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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BFG591,115 | Hersteller : NXP Semiconductors |
Trans RF BJT NPN 15V 0.2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R |
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BFG591,115 | Hersteller : NXP USA Inc. |
Description: RF TRANS NPN 15V 7GHZ SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 2W Current - Collector (Ic) (Max): 200mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 70mA, 8V Frequency - Transition: 7GHz Supplier Device Package: SC-73 Part Status: Obsolete |
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BFG591,115 | Hersteller : NXP USA Inc. |
Description: RF TRANS NPN 15V 7GHZ SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 2W Current - Collector (Ic) (Max): 200mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 70mA, 8V Frequency - Transition: 7GHz Supplier Device Package: SC-73 Part Status: Obsolete |
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BFG591,115 | Hersteller : NXP Semiconductors |
RF Bipolar Transistors NPN 15V 7GHZ |
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| BFG591,115 | Hersteller : onsemi / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT |
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