BFG67,215
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Technische Details BFG67,215
Description: RF TRANS NPN 10V 8GHZ SOT-143B, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-253-4, TO-253AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 175°C (TJ), Power - Max: 380mW, Current - Collector (Ic) (Max): 50mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 5V, Frequency - Transition: 8GHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz, Supplier Device Package: SOT-143B, Part Status: Obsolete.
Weitere Produktangebote BFG67,215
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| BFG67,215 | NXP |
SOT-143R (SMD) Транзистори |
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BFG67,215 | NXP USA Inc. |
Description: RF TRANS NPN 10V 8GHZ SOT-143B Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-253-4, TO-253AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 175°C (TJ) Power - Max: 380mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 5V Frequency - Transition: 8GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz Supplier Device Package: SOT-143B Part Status: Obsolete |
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| BFG67,215 | Infineon Technologies |
Bipolar Transistors - BJT |
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 |
BFG67,215 | NXP Semiconductors |
RF Bipolar Transistors TAPE7 TNS-RFSS |
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| BFG67,215 |
|
Hersteller: NXP
SOT-143R (SMD) Транзистори
SOT-143R (SMD) Транзистори
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| BFG67,215 |
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Hersteller: NXP USA Inc.
Description: RF TRANS NPN 10V 8GHZ SOT-143B
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Power - Max: 380mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 5V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz
Supplier Device Package: SOT-143B
Part Status: Obsolete
Description: RF TRANS NPN 10V 8GHZ SOT-143B
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Power - Max: 380mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 5V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz
Supplier Device Package: SOT-143B
Part Status: Obsolete
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| BFG67,215 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Bipolar Transistors - BJT
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Hersteller: NXP Semiconductors
RF Bipolar Transistors TAPE7 TNS-RFSS
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