BFG67,215 NXP
Hersteller: NXPТранз. Бипол. ВЧ NPN SOT143 Uceo=10V; Ic=0,05A; f=8GHz; Pdmax=0,38W; hfe=100 (то же что и BFG67/X только др. разводка контактов)
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Technische Details BFG67,215 NXP
Description: RF TRANS NPN 10V 8GHZ SOT143B, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-253-4, TO-253AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 175°C (TJ), Power - Max: 380mW, Current - Collector (Ic) (Max): 50mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 5V, Frequency - Transition: 8GHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz, Supplier Device Package: SOT-143B, Part Status: Obsolete.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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| BFG67,215 |
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BFG67,215 | Hersteller : NXP Semiconductors |
Trans RF BJT NPN 10V 0.05A 380mW 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R |
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BFG67,215 | Hersteller : NXP USA Inc. |
Description: RF TRANS NPN 10V 8GHZ SOT143B Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-253-4, TO-253AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 175°C (TJ) Power - Max: 380mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 5V Frequency - Transition: 8GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz Supplier Device Package: SOT-143B Part Status: Obsolete |
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BFG67,215 | Hersteller : NXP Semiconductors |
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| BFG67,215 | Hersteller : Infineon Technologies |
Bipolar Transistors - BJT |
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