BFG67,215
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Technische Details BFG67,215
Description: RF TRANS NPN 10V 8GHZ SOT-143B, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: SOT-143B, Noise Figure (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz, Frequency - Transition: 8GHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 5V, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V, Current - Collector (Ic) (Max): 50mA, Power - Max: 380mW, Operating Temperature: 175°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-253-4, TO-253AA, Packaging: Tape & Reel (TR).
Weitere Produktangebote BFG67,215
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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| BFG67,215 | Hersteller : NXP |
SOT-143R (SMD) Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BFG67,215 | Hersteller : NXP USA Inc. |
Description: RF TRANS NPN 10V 8GHZ SOT-143B Part Status: Obsolete Supplier Device Package: SOT-143B Noise Figure (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz Frequency - Transition: 8GHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 5V Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Power - Max: 380mW Operating Temperature: 175°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-253-4, TO-253AA Packaging: Tape & Reel (TR) |
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| BFG67,215 | Hersteller : Infineon Technologies |
Bipolar Transistors - BJT |
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BFG67,215 | Hersteller : NXP Semiconductors |
RF Bipolar Transistors TAPE7 TNS-RFSS |
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