Technische Details BFM505,115 NXP
Description: RF TRANS 2 NPN 8V 9GHZ 6-TSSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 NPN (Dual), Operating Temperature: 175°C (TJ), Power - Max: 500mW, Current - Collector (Ic) (Max): 18mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 8V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 6V, Frequency - Transition: 9GHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 1.9dB @ 900MHz ~ 2GHz, Supplier Device Package: 6-TSSOP, Part Status: Obsolete.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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BFM505,115 | NXP USA Inc. |
 Description: RF TRANS 2 NPN 8V 9GHZ 6-TSSOPPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: 175°C (TJ) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 18mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 8V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 6V Frequency - Transition: 9GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 1.9dB @ 900MHz ~ 2GHz Supplier Device Package: 6-TSSOP Part Status: Obsolete |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| BFM505,115 | Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT |
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BFM505,115 | NXP Semiconductors |
RF Bipolar Transistors TAPE-7 TNS-RFSS |
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| BFM505,115 |
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Hersteller: NXP USA Inc.
Description: RF TRANS 2 NPN 8V 9GHZ 6-TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 18mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 8V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 6V
Frequency - Transition: 9GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 1.9dB @ 900MHz ~ 2GHz
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Part Status: Obsolete
Description: RF TRANS 2 NPN 8V 9GHZ 6-TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 18mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 8V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 6V
Frequency - Transition: 9GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 1.9dB @ 900MHz ~ 2GHz
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Part Status: Obsolete
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| BFM505,115 |
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Hersteller: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT
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Hersteller: NXP Semiconductors
RF Bipolar Transistors TAPE-7 TNS-RFSS
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