Technische Details BFQ18A,115 NXP Semiconductors
Description: NXP - BFQ18A,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 18 V, 4 GHz, 1 W, 150 mA, SOT-89, Transistormontage: Oberflächenmontage, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25, DC-Stromverstärkung hFE: 25, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 150, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 1, Verlustleistung: 1, Bauform - Transistor: SOT-89, Bauform - HF-Transistor: SOT-89, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 18, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 18, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 150, Übergangsfrequenz: 4, Betriebstemperatur, max.: 175, SVHC: No SVHC (15-Jan-2019).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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BFQ18A,115 | NXP USA Inc. |
 Description: RF TRANS NPN 18V 4GHZ SOT-89 3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 175°C (TJ) Power - Max: 1W Current - Collector (Ic) (Max): 150mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 18V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 100mA, 10V Frequency - Transition: 4GHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Part Status: Obsolete |
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BFQ18A,115 | NXP USA Inc. |
Description: RF TRANS NPN 18V 4GHZ SOT-89 3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 175°C (TJ) Power - Max: 1W Current - Collector (Ic) (Max): 150mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 18V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 100mA, 10V Frequency - Transition: 4GHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Part Status: Obsolete |
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BFQ18A,115 | NXP Semiconductors |
RF Bipolar Transistors NPN 18V 150mA 4GHZ |
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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| BFQ18A,115 | onsemi / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT |
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BFQ18A,115 | NXP |
Description: NXP - BFQ18A,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 18 V, 4 GHz, 1 W, 150 mA, SOT-89 Transistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25 DC-Stromverstärkung hFE: 25 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 150 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 1 Verlustleistung: 1 Bauform - Transistor: SOT-89 Bauform - HF-Transistor: SOT-89 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 18 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 18 Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 150 Übergangsfrequenz: 4 Betriebstemperatur, max.: 175 SVHC: No SVHC (15-Jan-2019) |
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BFQ18A,115 | NXP |
Description: NXP - BFQ18A,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 18 V, 4 GHz, 1 W, 150 mA, SOT-89 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 18 Verlustleistung: 1 DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25 Qualifikation: - Bauform - Transistor: SOT-89 Dauer-Kollektorstrom: 150 SVHC: No SVHC (15-Jan-2019) |
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Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| BFQ18A,115 |
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Hersteller: NXP USA Inc.
Description: RF TRANS NPN 18V 4GHZ SOT-89 3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Power - Max: 1W
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 18V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 100mA, 10V
Frequency - Transition: 4GHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Obsolete
Description: RF TRANS NPN 18V 4GHZ SOT-89 3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Power - Max: 1W
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 18V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 100mA, 10V
Frequency - Transition: 4GHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Obsolete
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| BFQ18A,115 |
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Hersteller: NXP USA Inc.
Description: RF TRANS NPN 18V 4GHZ SOT-89 3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Power - Max: 1W
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 18V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 100mA, 10V
Frequency - Transition: 4GHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Obsolete
Description: RF TRANS NPN 18V 4GHZ SOT-89 3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Power - Max: 1W
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 18V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 100mA, 10V
Frequency - Transition: 4GHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Obsolete
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| BFQ18A,115 |
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Hersteller: NXP Semiconductors
RF Bipolar Transistors NPN 18V 150mA 4GHZ
RF Bipolar Transistors NPN 18V 150mA 4GHZ
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| BFQ18A,115 |
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Hersteller: onsemi / Fairchild
Bipolar Transistors - BJT
Bipolar Transistors - BJT
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| BFQ18A,115 |
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Hersteller: NXP
Description: NXP - BFQ18A,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 18 V, 4 GHz, 1 W, 150 mA, SOT-89
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25
DC-Stromverstärkung hFE: 25
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 150
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1
Verlustleistung: 1
Bauform - Transistor: SOT-89
Bauform - HF-Transistor: SOT-89
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 18
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 18
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 150
Übergangsfrequenz: 4
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
Description: NXP - BFQ18A,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 18 V, 4 GHz, 1 W, 150 mA, SOT-89
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25
DC-Stromverstärkung hFE: 25
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 150
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1
Verlustleistung: 1
Bauform - Transistor: SOT-89
Bauform - HF-Transistor: SOT-89
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 18
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 18
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 150
Übergangsfrequenz: 4
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
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| BFQ18A,115 |
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Hersteller: NXP
Description: NXP - BFQ18A,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 18 V, 4 GHz, 1 W, 150 mA, SOT-89
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 18
Verlustleistung: 1
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25
Qualifikation: -
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauer-Kollektorstrom: 150
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
Description: NXP - BFQ18A,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 18 V, 4 GHz, 1 W, 150 mA, SOT-89
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 18
Verlustleistung: 1
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25
Qualifikation: -
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauer-Kollektorstrom: 150
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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