BFR193W H6327 Infineon
Hersteller: Infineon
NPN 12V 8GHz 80mA 580mW BFR193WE6727 *OBSOLETE; BFR193WH6327XTSA1 BFR193WH6327 Infineon TBFR193w
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Technische Details BFR193W H6327 Infineon
Description: HIGH LINEARITY TRANSISTOR, Part Status: Active, Supplier Device Package: PG-SOT323-3-1, Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Frequency - Transition: 8GHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, Current - Collector (Ic) (Max): 80mA, Power - Max: 580mW, Gain: 16dB, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SC-70, SOT-323, Packaging: Bulk.
Weitere Produktangebote BFR193W H6327 nach Preis ab 0.17 EUR bis 0.71 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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BFR 193W H6327 | Infineon Technologies |
RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR |
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| BFR 193W H6327 | Infineon |
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| BFR 193W H6327 |
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Hersteller: Infineon Technologies
RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR
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| BFR 193W H6327 |
Hersteller: Infineon
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