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BFR 193W H6327

BFR 193W H6327 Infineon Technologies

8552infineon_high_linearity_lna_bfr193w.pdffolderiddb3a30431400ef6801.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R
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Technische Details BFR 193W H6327 Infineon Technologies

Description: HIGH LINEARITY TRANSISTOR, Packaging: Bulk, Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Gain: 16dB, Power - Max: 580mW, Current - Collector (Ic) (Max): 80mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V, Frequency - Transition: 8GHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Supplier Device Package: PG-SOT323-3-1, Part Status: Active.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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BFR 193W H6327 BFR 193W H6327 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-BFR193W-DS-v01_01-en-1225482.pdf RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR
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BFR193W H6327 Hersteller : Infineon NPN 12V 8GHz 80mA 580mW BFR193WE6727 *OBSOLETE; BFR193WH6327XTSA1 BFR193WH6327 Infineon TBFR193w
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BFR193WH6327 BFR193WH6327 Hersteller : Infineon Technologies INFNS22472-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: HIGH LINEARITY TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 16dB
Power - Max: 580mW
Current - Collector (Ic) (Max): 80mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT323-3-1
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