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BFR360L3E6765

BFR360L3E6765 Infineon Technologies

INFNS10726-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Hersteller: Infineon Technologies
Description: LOW-NOISE SI TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 11.5dB ~ 16dB
Power - Max: 210mW
Current - Collector (Ic) (Max): 35mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 9V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 15mA, 3V
Frequency - Transition: 14GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 3GHz
Supplier Device Package: PG-TSLP-3-1
Part Status: Active
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Technische Details BFR360L3E6765 Infineon Technologies

Description: LOW-NOISE SI TRANSISTOR, Packaging: Bulk, Package / Case: SC-101, SOT-883, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Gain: 11.5dB ~ 16dB, Power - Max: 210mW, Current - Collector (Ic) (Max): 35mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 9V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 15mA, 3V, Frequency - Transition: 14GHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 3GHz, Supplier Device Package: PG-TSLP-3-1, Part Status: Active.

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BFR 360L3 E6765 BFR 360L3 E6765 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-BFR360L3-DS-v01_01-en-85636.pdf RF Bipolar Transistors NPN Silicon RF Transistor
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Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 16dB
Power - Max: 210mW
Current - Collector (Ic) (Max): 35mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 6V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 15mA, 3V
Frequency - Transition: 14GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 3GHz
Supplier Device Package: PG-TSLP-3-1
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