BFR193W H6327 Infineon
Hersteller: Infineon
NPN 12V 8GHz 80mA 580mW BFR193WE6727 *OBSOLETE; BFR193WH6327XTSA1 BFR193WH6327 Infineon TBFR193w
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Technische Details BFR193W H6327 Infineon
Description: HIGH LINEARITY TRANSISTOR, Part Status: Active, Supplier Device Package: PG-SOT323-3-1, Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Frequency - Transition: 8GHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, Current - Collector (Ic) (Max): 80mA, Power - Max: 580mW, Gain: 16dB, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SC-70, SOT-323, Packaging: Bulk.
Weitere Produktangebote BFR193W H6327 nach Preis ab 0.17 EUR bis 2.05 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||
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BFR193WH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 80mA; 0.58W; SOT323 Kind of package: reel; tape Collector-emitter voltage: 20V Power dissipation: 0.58W Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Type of transistor: NPN Case: SOT323 Frequency: 8GHz Collector current: 80mA Mounting: SMD |
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BFR 193W H6327 | Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R |
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BFR 193W H6327 | Infineon Technologies |
RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR |
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| BFR 193W H6327 | Infineon |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| BFR193WH6327XTSA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 80mA; 0.58W; SOT323
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 20V
Power dissipation: 0.58W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Type of transistor: NPN
Case: SOT323
Frequency: 8GHz
Collector current: 80mA
Mounting: SMD
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 80mA; 0.58W; SOT323
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 20V
Power dissipation: 0.58W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Type of transistor: NPN
Case: SOT323
Frequency: 8GHz
Collector current: 80mA
Mounting: SMD
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 264+ | 0.32 EUR |
| 298+ | 0.29 EUR |
| 334+ | 0.25 EUR |
| 385+ | 0.23 EUR |
| 424+ | 0.2 EUR |
| 459+ | 0.19 EUR |
| 491+ | 0.18 EUR |
| 511+ | 0.17 EUR |
| BFR 193W H6327 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 519+ | 0.33 EUR |
| 539+ | 0.32 EUR |
| 1000+ | 0.3 EUR |
| 2500+ | 0.29 EUR |
| 5000+ | 0.27 EUR |
| 10000+ | 0.26 EUR |
| BFR 193W H6327 |
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Hersteller: Infineon Technologies
RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR
RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 2.05 EUR |
| 10+ | 1.43 EUR |
| 100+ | 0.9 EUR |
| 500+ | 0.35 EUR |
| 1000+ | 0.3 EUR |
| 3000+ | 0.23 EUR |
| BFR 193W H6327 |
Hersteller: Infineon
auf Bestellung 18000 Stücke:
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