Technische Details BFR505,215 NXP Semiconductors
Description: RF TRANS NPN 15V 9GHZ SOT-23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 175°C (TJ), Power - Max: 150mW, Current - Collector (Ic) (Max): 18mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 6V, Frequency - Transition: 9GHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB ~ 2.1dB @ 900MHz, Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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BFR505,215 | NXP USA Inc. |
 Description: RF TRANS NPN 15V 9GHZ SOT-23Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 175°C (TJ) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 18mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 6V Frequency - Transition: 9GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB ~ 2.1dB @ 900MHz Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB) |
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BFR505,215 | NXP Semiconductors |
RF Bipolar Transistors NPN 15V 9GHZ |
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| BFR505,215 | onsemi / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT |
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| BFR505,215 |
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Hersteller: NXP USA Inc.
Description: RF TRANS NPN 15V 9GHZ SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 18mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 6V
Frequency - Transition: 9GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB ~ 2.1dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Description: RF TRANS NPN 15V 9GHZ SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 18mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 6V
Frequency - Transition: 9GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB ~ 2.1dB @ 900MHz
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| BFR505,215 |
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Hersteller: NXP Semiconductors
RF Bipolar Transistors NPN 15V 9GHZ
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| BFR505,215 |
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Hersteller: onsemi / Fairchild
Bipolar Transistors - BJT
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