Technische Details BFT25,215 NXP Semiconductors
Description: NXP - BFT25,215 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 5 V, 2.3 GHz, 30 mW, 6.5 mA, SOT-23, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 40hFE, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 6.5mA, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 30mW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 30mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Bauform - HF-Transistor: SOT-23, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 5V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 5V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 6.5mA, Übergangsfrequenz: 2.3GHz, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2019).
Weitere Produktangebote BFT25,215 nach Preis ab 0.36 EUR bis 0.82 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||
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BFT25,215 | NXP Semiconductors |
 Trans RF BJT NPN 5V 0.0065A 30mW 3-Pin TO-236AB T/R |
auf Bestellung 2939 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BFT25,215 | NXP |
Description: NXP - BFT25,215 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 5 V, 2.3 GHz, 30 mW, 6.5 mA, SOT-23 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 40hFE Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 6.5mA usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 30mW euEccn: NLR Verlustleistung: 30mW Bauform - Transistor: SOT-23 Bauform - HF-Transistor: SOT-23 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 5V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 5V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 6.5mA Übergangsfrequenz: 2.3GHz Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2019) |
auf Bestellung 4782 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BFT25,215 | NXP |
Description: NXP - BFT25,215 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 5 V, 2.3 GHz, 30 mW, 6.5 mA, SOT-23 tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 6.5mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 30mW Bauform - Transistor: SOT-23 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 5V productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (15-Jan-2019) |
auf Bestellung 4782 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BFT25,215 | NXP |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 5V; 6.5mA; 30mW; SOT23 Polarisation: bipolar Mounting: SMD Type of transistor: NPN Kind of transistor: RF Case: SOT23 Collector current: 6.5mA Power dissipation: 30mW Collector-emitter voltage: 5V Current gain: 40 Frequency: 2.3GHz Kind of package: reel; tape |
auf Bestellung 105 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BFT25,215 | NXP Semiconductors |
Trans RF BJT NPN 5V 0.0065A 30mW 3-Pin TO-236AB T/R |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
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BFT25,215 | NXP USA Inc. |
Description: RF TRANS NPN 5V 2.3GHZ TO236AB Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 175°C (TJ) Power - Max: 30mW Current - Collector (Ic) (Max): 6.5mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1mA, 1V Frequency - Transition: 2.3GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 5.5dB @ 500MHz Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB) |
auf Bestellung 4782 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
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BFT25,215 | NXP Semiconductors |
RF Bipolar Transistors TAPE7 TNS-RFSS |
auf Bestellung 2850 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| BFT25,215 |
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Hersteller: NXP Semiconductors
Trans RF BJT NPN 5V 0.0065A 30mW 3-Pin TO-236AB T/R
Trans RF BJT NPN 5V 0.0065A 30mW 3-Pin TO-236AB T/R
auf Bestellung 2939 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 1821+ | 0.36 EUR |
| BFT25,215 |
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Hersteller: NXP
Description: NXP - BFT25,215 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 5 V, 2.3 GHz, 30 mW, 6.5 mA, SOT-23
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 40hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 6.5mA
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 30mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Bauform - HF-Transistor: SOT-23
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 5V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 6.5mA
Übergangsfrequenz: 2.3GHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
Description: NXP - BFT25,215 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 5 V, 2.3 GHz, 30 mW, 6.5 mA, SOT-23
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 40hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 6.5mA
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 30mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Bauform - HF-Transistor: SOT-23
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 5V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 6.5mA
Übergangsfrequenz: 2.3GHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
auf Bestellung 4782 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 422+ | 0.6 EUR |
| 491+ | 0.48 EUR |
| BFT25,215 |
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Hersteller: NXP
Description: NXP - BFT25,215 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 5 V, 2.3 GHz, 30 mW, 6.5 mA, SOT-23
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 6.5mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
Description: NXP - BFT25,215 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 5 V, 2.3 GHz, 30 mW, 6.5 mA, SOT-23
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 6.5mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
auf Bestellung 4782 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 422+ | 0.6 EUR |
| 491+ | 0.48 EUR |
| BFT25,215 |
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Hersteller: NXP
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 5V; 6.5mA; 30mW; SOT23
Polarisation: bipolar
Mounting: SMD
Type of transistor: NPN
Kind of transistor: RF
Case: SOT23
Collector current: 6.5mA
Power dissipation: 30mW
Collector-emitter voltage: 5V
Current gain: 40
Frequency: 2.3GHz
Kind of package: reel; tape
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 5V; 6.5mA; 30mW; SOT23
Polarisation: bipolar
Mounting: SMD
Type of transistor: NPN
Kind of transistor: RF
Case: SOT23
Collector current: 6.5mA
Power dissipation: 30mW
Collector-emitter voltage: 5V
Current gain: 40
Frequency: 2.3GHz
Kind of package: reel; tape
auf Bestellung 105 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 105+ | 0.82 EUR |
| BFT25,215 |
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Hersteller: NXP Semiconductors
Trans RF BJT NPN 5V 0.0065A 30mW 3-Pin TO-236AB T/R
Trans RF BJT NPN 5V 0.0065A 30mW 3-Pin TO-236AB T/R
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| BFT25,215 |
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Hersteller: NXP USA Inc.
Description: RF TRANS NPN 5V 2.3GHZ TO236AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Power - Max: 30mW
Current - Collector (Ic) (Max): 6.5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1mA, 1V
Frequency - Transition: 2.3GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 5.5dB @ 500MHz
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Description: RF TRANS NPN 5V 2.3GHZ TO236AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Power - Max: 30mW
Current - Collector (Ic) (Max): 6.5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1mA, 1V
Frequency - Transition: 2.3GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 5.5dB @ 500MHz
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
auf Bestellung 4782 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| BFT25,215 |
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Hersteller: NXP Semiconductors
RF Bipolar Transistors TAPE7 TNS-RFSS
RF Bipolar Transistors TAPE7 TNS-RFSS
auf Bestellung 2850 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)