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BFT25,215

BFT25,215 NXP Semiconductors

bft25_cnv_2.pdf
Hersteller: NXP Semiconductors
Trans RF BJT NPN 5V 0.0065A 30mW 3-Pin TO-236AB T/R
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Technische Details BFT25,215 NXP Semiconductors

Description: RF TRANS NPN 5V 2.3GHZ SOT-23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 175°C (TJ), Power - Max: 30mW, Current - Collector (Ic) (Max): 6.5mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1mA, 1V, Frequency - Transition: 2.3GHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 5.5dB @ 500MHz, Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB), Part Status: Obsolete.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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BFT25,215 BFT25,215 Hersteller : NXP Semiconductors bft25_cnv_2.pdf Trans RF BJT NPN 5V 0.0065A 30mW 3-Pin TO-236AB T/R
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BFT25,215 BFT25,215 Hersteller : NXP BFT25.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 5V; 6.5mA; 30mW; SOT23
Polarisation: bipolar
Mounting: SMD
Type of transistor: NPN
Kind of transistor: RF
Case: SOT23
Collector current: 6.5mA
Power dissipation: 30mW
Collector-emitter voltage: 5V
Current gain: 40
Frequency: 2.3GHz
Kind of package: reel; tape
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BFT25,215 BFT25,215 Hersteller : NXP Semiconductors bft25_cnv_2.pdf Trans RF BJT NPN 5V 0.0065A 30mW 3-Pin TO-236AB T/R
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BFT25,215 BFT25,215 Hersteller : NXP USA Inc. BFT25A.pdf Description: RF TRANS NPN 5V 2.3GHZ TO236AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Power - Max: 30mW
Current - Collector (Ic) (Max): 6.5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1mA, 1V
Frequency - Transition: 2.3GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 5.5dB @ 500MHz
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
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BFT25,215 BFT25,215 Hersteller : NXP Semiconductors BFT25_CNV-1125854.pdf RF Bipolar Transistors TAPE7 TNS-RFSS
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