Technische Details BFT92W,115 NXP
Description: RF TRANS PNP 15V 4GHZ SC-70, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: SC-70, Noise Figure (dB Typ @ f): 2.5dB ~ 3dB @ 500MHz ~ 1GHz, Frequency - Transition: 4GHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 15mA, 10V, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V, Current - Collector (Ic) (Max): 25mA, Power - Max: 300mW, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: PNP, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SC-70, SOT-323, Packaging: Tape & Reel (TR).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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BFT92W,115 | NXP USA Inc. |
 Description: RF TRANS PNP 15V 4GHZ SC-70Part Status: Obsolete Supplier Device Package: SC-70 Noise Figure (dB Typ @ f): 2.5dB ~ 3dB @ 500MHz ~ 1GHz Frequency - Transition: 4GHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 15mA, 10V Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V Current - Collector (Ic) (Max): 25mA Power - Max: 300mW Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-70, SOT-323 Packaging: Tape & Reel (TR) |
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BFT92W,115 | NXP Semiconductors |
RF Bipolar Transistors PNP 35MA 15V 4GHZ |
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| BFT92W,115 | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT |
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| BFT92W,115 |
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Hersteller: NXP USA Inc.
Description: RF TRANS PNP 15V 4GHZ SC-70
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SC-70
Noise Figure (dB Typ @ f): 2.5dB ~ 3dB @ 500MHz ~ 1GHz
Frequency - Transition: 4GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 15mA, 10V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V
Current - Collector (Ic) (Max): 25mA
Power - Max: 300mW
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: RF TRANS PNP 15V 4GHZ SC-70
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SC-70
Noise Figure (dB Typ @ f): 2.5dB ~ 3dB @ 500MHz ~ 1GHz
Frequency - Transition: 4GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 15mA, 10V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V
Current - Collector (Ic) (Max): 25mA
Power - Max: 300mW
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
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| BFT92W,115 |
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Hersteller: NXP Semiconductors
RF Bipolar Transistors PNP 35MA 15V 4GHZ
RF Bipolar Transistors PNP 35MA 15V 4GHZ
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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| BFT92W,115 |
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Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT
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