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BFU520WF

BFU520WF NXP USA Inc.

BFU520W.pdf
Hersteller: NXP USA Inc.
Description: RF TRANS NPN 12V 10GHZ SC-70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 13dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V
Frequency - Transition: 10GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
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Technische Details BFU520WF NXP USA Inc.

Description: RF TRANS NPN 12V 10GHZ SC-70, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Gain: 13dB, Power - Max: 450mW, Current - Collector (Ic) (Max): 30mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V, Frequency - Transition: 10GHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB @ 1.8GHz, Supplier Device Package: SC-70, Part Status: Active.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
BFU520WF BFU520WF NXP Semiconductors BFU520W.pdf RF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
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BFU520WF BFU520WF NXP USA Inc. BFU520W.pdf Description: RF TRANS NPN 12V 10GHZ SC-70
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-70
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB @ 1.8GHz
Frequency - Transition: 10GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Power - Max: 450mW
Gain: 13dB
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
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Description: RF TRANS NPN 12V 10GHZ SC-70
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-70
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB @ 1.8GHz
Frequency - Transition: 10GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Power - Max: 450mW
Gain: 13dB
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
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