BFU520XAR NXP Semiconductors
Hersteller: NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW 4-Pin SOT-143B T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details BFU520XAR NXP Semiconductors
Description: NXP - BFU520XAR - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 10.5 GHz, 450 mW, 5 mA, SOT-143B, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 60hFE, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 5mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 450mW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 450mW, Bauform - Transistor: SOT-143B, Bauform - HF-Transistor: SOT-143B, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 12V, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: BFU5, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 5mA, Übergangsfrequenz: 10.5GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote BFU520XAR nach Preis ab 0.18 EUR bis 0.44 EUR
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BFU520XAR | Hersteller : NXP Semiconductors |
Trans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW 4-Pin SOT-143B T/R Automotive AEC-Q101 |
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BFU520XAR | Hersteller : NXP USA Inc. |
Description: RF TRANS NPN 12V 10.5GHZ SOT143B Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-253-4, TO-253AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Gain: 20dB Power - Max: 450mW Current - Collector (Ic) (Max): 30mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V Frequency - Transition: 10.5GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.7dB @ 900MHz Supplier Device Package: SOT-143B Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
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BFU520XAR | Hersteller : NXP |
Description: NXP - BFU520XAR - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 10.5 GHz, 450 mW, 5 mA, SOT-143B tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 60hFE Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 5mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 450mW euEccn: NLR Verlustleistung: 450mW Bauform - Transistor: SOT-143B Bauform - HF-Transistor: SOT-143B Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 12V Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: BFU5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 5mA Übergangsfrequenz: 10.5GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
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BFU520XAR | Hersteller : NXP Semiconductors |
Trans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW 4-Pin SOT-143B T/R Automotive AEC-Q101 |
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BFU520XAR | Hersteller : NXP Semiconductors |
Trans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive 4-Pin SOT-143B T/R |
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BFU520XAR | Hersteller : NXP USA Inc. |
Description: RF TRANS NPN 12V 10.5GHZ SOT143B Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-253-4, TO-253AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Gain: 20dB Power - Max: 450mW Current - Collector (Ic) (Max): 30mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V Frequency - Transition: 10.5GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.7dB @ 900MHz Supplier Device Package: SOT-143B Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
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BFU520XAR | Hersteller : NXP Semiconductors |
RF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor |
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BFU520XAR | Hersteller : NXP |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 30mA; 450mW; SOT143B Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Collector-emitter voltage: 12V Collector current: 30mA Power dissipation: 0.45W Case: SOT143B Current gain: 60...200 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 10.5GHz |
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