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BFU530R

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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN

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BFU530R BFU530R NXP Semiconductors 2803bfu530.pdf Trans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R
auf Bestellung 2400 Stücke:
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BFU530R BFU530R NXP USA Inc. BFU530.pdf Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143B
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-143B
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz
Frequency - Transition: 11GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Power - Max: 450mW
Gain: 21.5dB
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
auf Bestellung 53 Stücke:
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28+0.77 EUR
32+0.67 EUR
34+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
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BFU530R BFU530R NXP Semiconductors BFU530-3138048.pdf RF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
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10+0.62 EUR
100+0.46 EUR
500+0.39 EUR
1000+0.32 EUR
3000+0.26 EUR
9000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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Hersteller: NXP Semiconductors
Trans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R
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BFU530R
Hersteller: NXP USA Inc.
Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143B
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-143B
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz
Frequency - Transition: 11GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Power - Max: 450mW
Gain: 21.5dB
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
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