Produkte > NXP SEMICONDUCTORS > BFU530R
BFU530R

BFU530R NXP Semiconductors

2803bfu530.pdf Hersteller: NXP Semiconductors
Trans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
779+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 779
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details BFU530R NXP Semiconductors

Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143B, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-253-4, TO-253AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Gain: 21.5dB, Power - Max: 450mW, Current - Collector (Ic) (Max): 40mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V, Frequency - Transition: 11GHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz, Supplier Device Package: SOT-143B, Grade: Automotive, Part Status: Active, Qualification: AEC-Q101.

Weitere Produktangebote BFU530R nach Preis ab 0.19 EUR bis 0.67 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
BFU530R BFU530R Hersteller : NXP Semiconductors 2803bfu530.pdf Trans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R
auf Bestellung 2972 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
779+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 779
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BFU530R BFU530R Hersteller : NXP Semiconductors 2803bfu530.pdf Trans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1921+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 1921
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BFU530R BFU530R Hersteller : NXP USA Inc. BFU530.pdf Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143B
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 21.5dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SOT-143B
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 53 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
28+0.65 EUR
32+0.56 EUR
34+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BFU530R BFU530R Hersteller : NXP Semiconductors BFU530-3138048.pdf RF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
auf Bestellung 2918 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+0.67 EUR
10+0.52 EUR
100+0.39 EUR
500+0.33 EUR
1000+0.27 EUR
3000+0.22 EUR
9000+0.20 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BFU530R BFU530R Hersteller : NXP Semiconductors 2803bfu530.pdf Trans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BFU530R BFU530R
Produktcode: 99606
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

BFU530.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BFU530R BFU530R Hersteller : NXP USA Inc. BFU530.pdf Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143B
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 21.5dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SOT-143B
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH