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BFU530WX

BFU530WX NXP Semiconductors

2516bfu530w.pdf Hersteller: NXP Semiconductors
Trans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R
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Technische Details BFU530WX NXP Semiconductors

Description: NXP - BFU530WX - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 40 mA, SOT-323, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 40mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 450mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 11GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

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BFU530WX BFU530WX Hersteller : NXP Semiconductors 2516bfu530w.pdf Trans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R
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BFU530WX BFU530WX Hersteller : NXP Semiconductors 2516bfu530w.pdf Trans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R
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BFU530WX BFU530WX Hersteller : NXP USA Inc. BFU530W.pdf Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT323-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 18.5dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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BFU530WX BFU530WX Hersteller : NXP Semiconductors BFU530W-3137919.pdf RF Bipolar Transistors Dual NPN wideband Silicon RFtransistor
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BFU530WX BFU530WX Hersteller : NXP BFU530W.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 24V; 40mA; 450mW; SOT323
Mounting: SMD
Case: SOT323
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.45W
Frequency: 11GHz
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 24V
Current gain: 60...200
Collector current: 40mA
Type of transistor: NPN
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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139+ 0.51 EUR
155+ 0.46 EUR
184+ 0.39 EUR
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BFU530WX BFU530WX Hersteller : NXP BFU530W.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 24V; 40mA; 450mW; SOT323
Mounting: SMD
Case: SOT323
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.45W
Frequency: 11GHz
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 24V
Current gain: 60...200
Collector current: 40mA
Type of transistor: NPN
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BFU530WX BFU530WX Hersteller : NXP USA Inc. BFU530W.pdf Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT323-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 18.5dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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500+ 0.74 EUR
1000+ 0.59 EUR
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BFU530WX BFU530WX Hersteller : NXP Semiconductors 2516bfu530w.pdf Trans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R
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BFU530WX BFU530WX Hersteller : NXP BFU530W.pdf Description: NXP - BFU530WX - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 40 mA, SOT-323
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 40mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 11GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
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BFU530WX BFU530WX Hersteller : NXP BFU530W.pdf Description: NXP - BFU530WX - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 40 mA, SOT-323
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 40mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 11GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
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BFU530WX BFU530WX Hersteller : NXP Semiconductors 2516bfu530w.pdf Trans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BFU530WX Hersteller : NXP BFU530W.pdf Description: NXP - BFU530WX - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 155211 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BFU530WX BFU530WX Hersteller : NXP Semiconductors 2516bfu530w.pdf Trans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R
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