BFU550WF

BFU550WF NXP Semiconductors


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Hersteller: NXP Semiconductors
RF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
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Technische Details BFU550WF NXP Semiconductors

Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SC-70, Supplier Device Package: SC-70, Noise Figure (dB Typ @ f): 1.3dB @ 1.8GHz, Frequency - Transition: 11GHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, Current - Collector (Ic) (Max): 50mA, Power - Max: 450mW, Gain: 12dB, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SC-70, SOT-323, Packaging: Tape & Reel (TR).

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BFU550WF BFU550WF Hersteller : NXP USA Inc. BFU550W.pdf Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SC-70
Supplier Device Package: SC-70
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.3dB @ 1.8GHz
Frequency - Transition: 11GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Power - Max: 450mW
Gain: 12dB
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
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