BFU580QX NXP Semiconductors
Hersteller: NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.1A 1000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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Technische Details BFU580QX NXP Semiconductors
Description: NXP - BFU580QX - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 10.5 GHz, 1 W, 30 mA, SOT-89, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 95hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 30mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BFU580Q, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 10.5GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote BFU580QX nach Preis ab 0.63 EUR bis 1.57 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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SOT89.jpg "BFU580QX") |
BFU580QX | Hersteller : NXP USA Inc. |
Description: RF TRANS NPN 12V 10.5GHZ SOT89-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Gain: 8.5dB Power - Max: 1W Current - Collector (Ic) (Max): 60mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 30mA, 8V Frequency - Transition: 10.5GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.3dB @ 1.8GHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Part Status: Active |
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BFU580QX | Hersteller : NXP Semiconductors |
RF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor |
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BFU580QX | Hersteller : NXP |
Description: NXP - BFU580QX - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 10.5 GHz, 1 W, 30 mA, SOT-89 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 95hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 30mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BFU580Q Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 10.5GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
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BFU580QX | Hersteller : NXP |
Description: NXP - BFU580QX - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 10.5 GHz, 1 W, 30 mA, SOT-89 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 95hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 30mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BFU580Q Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 10.5GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 982 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BFU580QX | Hersteller : NXP Semiconductors |
Trans RF BJT NPN 16V 0.1A 1000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BFU580QX | Hersteller : NXP Semiconductors |
Trans RF BJT NPN 16V 0.1A 1000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BFU580QX | Hersteller : NXP USA Inc. |
Description: RF TRANS NPN 12V 10.5GHZ SOT89-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Gain: 8.5dB Power - Max: 1W Current - Collector (Ic) (Max): 60mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 30mA, 8V Frequency - Transition: 10.5GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.3dB @ 1.8GHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Part Status: Active |
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