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BFU580QX

BFU580QX NXP USA Inc.

BFU580Q.pdf
Hersteller: NXP USA Inc.
Description: RF TRANS NPN 12V 10.5GHZ SOT89-3
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-89-3
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.3dB @ 1.8GHz
Frequency - Transition: 10.5GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 30mA, 8V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
Current - Collector (Ic) (Max): 60mA
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 1W
Gain: 8.5dB
auf Bestellung 7485 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+0.76 EUR
2000+0.74 EUR
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Technische Details BFU580QX NXP USA Inc.

Description: NXP - BFU580QX - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 10.5 GHz, 1 W, 30 mA, SOT-89, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 95hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 30mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BFU580Q, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 10.5GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BFU580QX BFU580QX NXP USA Inc. BFU580Q.pdf Description: RF TRANS NPN 12V 10.5GHZ SOT89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 8.5dB
Power - Max: 1W
Current - Collector (Ic) (Max): 60mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 30mA, 8V
Frequency - Transition: 10.5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.3dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
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BFU580QX BFU580QX NXP Semiconductors BFU580Q.pdf RF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
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3+1.57 EUR
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BFU580QX BFU580QX NXP 2615757.pdf Description: NXP - BFU580QX - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 10.5 GHz, 1 W, 30 mA, SOT-89
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 95hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 30mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BFU580Q
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 10.5GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 982 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
110+2.28 EUR
134+1.74 EUR
169+1.27 EUR
500+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 110 Stücke
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BFU580QX BFU580QX NXP 2615757.pdf Description: NXP - BFU580QX - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 10.5 GHz, 1 W, 30 mA, SOT-89
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 95hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 30mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BFU580Q
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 10.5GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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BFU580QX
Hersteller: NXP USA Inc.
Description: RF TRANS NPN 12V 10.5GHZ SOT89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 8.5dB
Power - Max: 1W
Current - Collector (Ic) (Max): 60mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 30mA, 8V
Frequency - Transition: 10.5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.3dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
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Hersteller: NXP
Description: NXP - BFU580QX - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 10.5 GHz, 1 W, 30 mA, SOT-89
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Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 30mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BFU580Q
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
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Description: NXP - BFU580QX - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 10.5 GHz, 1 W, 30 mA, SOT-89
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 30mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BFU580Q
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 10.5GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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