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BFU610F,115

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Produktcode: 99602
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN

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BFU610F,115 BFU610F,115 Hersteller : NXP Semiconductors bfu610f.pdf Trans RF BJT NPN 5.5V 0.01A 136mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
auf Bestellung 3353 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
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435+0.32 EUR
439+0.31 EUR
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BFU610F,115 BFU610F,115 Hersteller : NXP USA Inc. BFU610F.pdf Description: RF TRANS NPN 5.5V 15GHZ 4-DFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 13.5dB ~ 23.5dB
Power - Max: 136mW
Current - Collector (Ic) (Max): 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 1mA, 2V
Frequency - Transition: 15GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.7dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz
Supplier Device Package: 4-DFP
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BFU610F,115 BFU610F,115 Hersteller : NXP Semiconductors bfu610f.pdf Trans RF BJT NPN 5.5V 0.01A 136mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
auf Bestellung 3353 Stücke:
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368+0.39 EUR
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Mindestbestellmenge: 368
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BFU610F,115 BFU610F,115 Hersteller : NXP Semiconductors BFU610F-3137902.pdf RF Bipolar Transistors Single NPN 15GHz
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3000+0.37 EUR
6000+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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BFU610F,115 BFU610F,115 Hersteller : NXP USA Inc. BFU610F.pdf Description: RF TRANS NPN 5.5V 15GHZ 4-DFP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 13.5dB ~ 23.5dB
Power - Max: 136mW
Current - Collector (Ic) (Max): 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 1mA, 2V
Frequency - Transition: 15GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.7dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz
Supplier Device Package: 4-DFP
auf Bestellung 5753 Stücke:
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Anzahl Preis
12+1.51 EUR
19+0.94 EUR
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500+0.47 EUR
1000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 12
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BFU610F,115 BFU610F,115 Hersteller : NXP PHGLS22178-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NXP - BFU610F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 5.5 V, 15 GHz, 136 mW, 10 mA, SOT-343F
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 10mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136mW
Bauform - Transistor: SOT-343F
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 5.5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 15GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 73 Stücke:
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BFU610F,115 BFU610F,115 Hersteller : NXP PHGLS22178-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NXP - BFU610F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 5.5 V, 15 GHz, 136 mW, 10 mA, SOT-343F
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 10mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136mW
Bauform - Transistor: SOT-343F
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 5.5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 15GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 73 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BFU610F,115 Hersteller : NXP PHGLS22178-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: NXP - BFU610F,115 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 3140 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BFU610F,115 BFU610F,115 Hersteller : NXP Semiconductors bfu610f.pdf Trans RF BJT NPN 5.5V 0.01A 136mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
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