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BFU610F,115

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Produktcode: 99602
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BFU610F,115 BFU610F,115 NXP USA Inc. BFU610F.pdf Description: RF TRANS NPN 5.5V 15GHZ 4-DFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 13.5dB ~ 23.5dB
Power - Max: 136mW
Current - Collector (Ic) (Max): 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 1mA, 2V
Frequency - Transition: 15GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.7dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz
Supplier Device Package: 4-DFP
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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BFU610F,115 BFU610F,115 NXP Semiconductors BFU610F-3137902.pdf RF Bipolar Transistors Single NPN 15GHz
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.15 EUR
10+0.81 EUR
100+0.61 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.48 EUR
3000+0.44 EUR
6000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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BFU610F,115 BFU610F,115 NXP USA Inc. BFU610F.pdf Description: RF TRANS NPN 5.5V 15GHZ 4-DFP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 13.5dB ~ 23.5dB
Power - Max: 136mW
Current - Collector (Ic) (Max): 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 1mA, 2V
Frequency - Transition: 15GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.7dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz
Supplier Device Package: 4-DFP
auf Bestellung 5753 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.8 EUR
19+1.12 EUR
100+0.74 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
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BFU610F,115 BFU610F.pdf
BFU610F,115
Hersteller: NXP USA Inc.
Description: RF TRANS NPN 5.5V 15GHZ 4-DFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 13.5dB ~ 23.5dB
Power - Max: 136mW
Current - Collector (Ic) (Max): 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 1mA, 2V
Frequency - Transition: 15GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.7dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz
Supplier Device Package: 4-DFP
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AnzahlPrivatkunde
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BFU610F,115
Hersteller: NXP Semiconductors
RF Bipolar Transistors Single NPN 15GHz
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Hersteller: NXP USA Inc.
Description: RF TRANS NPN 5.5V 15GHZ 4-DFP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 13.5dB ~ 23.5dB
Power - Max: 136mW
Current - Collector (Ic) (Max): 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 1mA, 2V
Frequency - Transition: 15GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.7dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz
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