BFU610F,115

BFU610F,115

Produktcode: 99602
Hersteller:
Transistoren - Bipolar-Transistoren NPN

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Technische Details BFU610F,115

Preis BFU610F,115 ab 0.36 EUR bis 1.06 EUR

BFU610F,115
BFU610F,115
Hersteller: NXP USA Inc.
Description: RF TRANS NPN 5.5V 15GHZ 4DFP
Base Part Number: BFU61
Supplier Device Package: 4-DFP
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Current - Collector (Ic) (Max): 10mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 1mA, 2V
Power - Max: 136mW
Gain: 13.5dB ~ 23.5dB
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.7dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz
Frequency - Transition: 15GHz
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.5V
Transistor Type: NPN
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+ 0.36 EUR
BFU610F,115
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Hersteller: NXP Semiconductors
RF Bipolar Transistors Single NPN 15GHz
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46+ 1.03 EUR
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100+ 0.48 EUR
1000+ 0.39 EUR
BFU610F,115
BFU610F,115
Hersteller: NXP Semiconductors
Description: TRANSISTOR NPN SOT343F-4
Supplier Device Package: 4-DFP
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Current - Collector (Ic) (Max): 10mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 1mA, 2V
Power - Max: 136mW
Gain: 13.5dB ~ 23.5dB
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.7dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz
Frequency - Transition: 15GHz
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.5V
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auf Bestellung 4562 Stücke
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22+ 1.06 EUR
BFU610F,115
BFU610F,115
Hersteller: NXP Semiconductors
Description: TRANSISTOR NPN SOT343F-4
Supplier Device Package: 4-DFP
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Current - Collector (Ic) (Max): 10mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 1mA, 2V
Power - Max: 136mW
Gain: 13.5dB ~ 23.5dB
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.7dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz
Frequency - Transition: 15GHz
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.5V
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BFU610F,115
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Hersteller: NXP Semiconductors
Description: TRANSISTOR NPN SOT343F
Supplier Device Package: 4-DFP
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Current - Collector (Ic) (Max): 10mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 1mA, 2V
Power - Max: 136mW
Gain: 13.5dB ~ 23.5dB
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.7dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz
Frequency - Transition: 15GHz
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.5V
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