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BFU630F,115

BFU630F,115 NXP USA Inc.

BFU630F.pdf
Hersteller: NXP USA Inc.
Description: RF TRANS NPN 5.5V 21GHZ 4-DFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 13dB ~ 22.5dB
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 5mA, 2V
Frequency - Transition: 21GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.75dB ~ 1.3dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz
Supplier Device Package: 4-DFP
Part Status: Active
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Technische Details BFU630F,115 NXP USA Inc.

Description: NXP - BFU630F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 5.5 V, 21 GHz, 200 mW, 30 mA, SOT-343F, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 30mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-343F, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 5.5V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 21GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BFU630F,115 BFU630F,115 NXP Semiconductors bfu630f.pdf Trans RF BJT NPN 5.5V 0.03A 200mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
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175+1 EUR
241+0.71 EUR
250+0.69 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.48 EUR
3000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 175 Stücke
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BFU630F,115 BFU630F,115 NXP Semiconductors bfu630f.pdf Trans RF BJT NPN 5.5V 0.03A 200mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
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250+0.62 EUR
500+0.49 EUR
1000+0.4 EUR
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BFU630F,115 BFU630F,115 NXP Semiconductors BFU630F-3138077.pdf RF Bipolar Transistors Single NPN 21GHz
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100+0.82 EUR
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Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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BFU630F,115 BFU630F,115 NXP Semiconductors bfu630f.pdf Trans RF BJT NPN 5.5V 0.03A 200mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
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167+1.04 EUR
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BFU630F,115 BFU630F,115 NXP USA Inc. BFU630F.pdf Description: RF TRANS NPN 5.5V 21GHZ 4-DFP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 13dB ~ 22.5dB
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
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Noise Figure (dB Typ @ f): 0.75dB ~ 1.3dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz
Supplier Device Package: 4-DFP
Part Status: Active
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10+2.31 EUR
15+1.44 EUR
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500+0.74 EUR
1000+0.67 EUR
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BFU630F,115 BFU630F,115 NXP BFU630F.pdf Description: NXP - BFU630F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 5.5 V, 21 GHz, 200 mW, 30 mA, SOT-343F
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 30mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-343F
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 5.5V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 21GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2 Stücke:
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BFU630F,115 BFU630F,115 NXP BFU630F.pdf Description: NXP - BFU630F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 5.5 V, 21 GHz, 200 mW, 30 mA, SOT-343F
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Anzahl der Pins: 4Pin(s)
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Übergangsfrequenz: 21GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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173+0.96 EUR
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RF Bipolar Transistors Single NPN 21GHz
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100+0.82 EUR
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Description: RF TRANS NPN 5.5V 21GHZ 4-DFP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 13dB ~ 22.5dB
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 5mA, 2V
Frequency - Transition: 21GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.75dB ~ 1.3dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz
Supplier Device Package: 4-DFP
Part Status: Active
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BFU630F,115
Hersteller: NXP
Description: NXP - BFU630F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 5.5 V, 21 GHz, 200 mW, 30 mA, SOT-343F
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Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 21GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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BFU630F,115
Hersteller: NXP
Description: NXP - BFU630F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 5.5 V, 21 GHz, 200 mW, 30 mA, SOT-343F
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Bauform - Transistor: SOT-343F
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Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 5.5V
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Übergangsfrequenz: 21GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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