BFU760F,115 NXP Semiconductors
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Technische Details BFU760F,115 NXP Semiconductors
Description: NXP - BFU760F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.8 V, 45 GHz, 220 mW, 70 mA, SOT-343F, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 155hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 70mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 220mW, Bauform - Transistor: SOT-343F, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.8V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 45GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote BFU760F,115 nach Preis ab 0.19 EUR bis 1.3 EUR
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Preis | ||||||||||||||||
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BFU760F,115 | Hersteller : NXP Semiconductors |
 Trans RF BJT NPN 2.8V 0.07A 220mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R |
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BFU760F,115 | Hersteller : NXP Semiconductors |
Trans RF BJT NPN 2.8V 0.07A 220mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R |
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BFU760F,115 | Hersteller : NXP USA Inc. |
Description: RF TRANS NPN 2.8V 45GHZ 4-DFP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-343F Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 220mW Current - Collector (Ic) (Max): 70mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 155 @ 10mA, 2V Frequency - Transition: 45GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.4dB ~ 0.5dB @ 1.5GHz ~ 2.4GHz Supplier Device Package: 4-DFP Part Status: Active |
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BFU760F,115 | Hersteller : NXP |
Description: NXP - BFU760F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.8 V, 45 GHz, 220 mW, 70 mA, SOT-343F tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 155hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 70mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 220mW Bauform - Transistor: SOT-343F Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.8V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 45GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
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BFU760F,115 | Hersteller : NXP |
Description: NXP - BFU760F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.8 V, 45 GHz, 220 mW, 70 mA, SOT-343F tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 155hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 70mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 220mW Bauform - Transistor: SOT-343F Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.8V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 45GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
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BFU760F,115 | Hersteller : NXP Semiconductors |
Trans RF BJT NPN 2.8V 0.07A 220mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R |
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BFU760F,115 | Hersteller : NXP Semiconductors |
Trans RF BJT NPN 2.8V 0.07A 220mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BFU760F,115 | Hersteller : NXP USA Inc. |
Description: RF TRANS NPN 2.8V 45GHZ 4-DFP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-343F Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 220mW Current - Collector (Ic) (Max): 70mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 155 @ 10mA, 2V Frequency - Transition: 45GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.4dB ~ 0.5dB @ 1.5GHz ~ 2.4GHz Supplier Device Package: 4-DFP Part Status: Active |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BFU760F,115 | Hersteller : NXP Semiconductors |
RF Bipolar Transistors NPN WIDEBAND SILICON GERMANIUM RF TRANS |
Produkt ist nicht verfügbar |