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BFU760F,115

BFU760F,115 NXP USA Inc.

BFU760F.pdf
Hersteller: NXP USA Inc.
Description: RF TRANS NPN 2.8V 45GHZ 4-DFP
Part Status: Active
Supplier Device Package: 4-DFP
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.4dB ~ 0.5dB @ 1.5GHz ~ 2.4GHz
Frequency - Transition: 45GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 155 @ 10mA, 2V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V
Current - Collector (Ic) (Max): 70mA
Power - Max: 220mW
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-343F
Packaging: Cut Tape (CT)
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Technische Details BFU760F,115 NXP USA Inc.

Description: RF TRANS NPN 2.8V 45GHZ 4-DFP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-343F, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Power - Max: 220mW, Current - Collector (Ic) (Max): 70mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 155 @ 10mA, 2V, Frequency - Transition: 45GHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 0.4dB ~ 0.5dB @ 1.5GHz ~ 2.4GHz, Supplier Device Package: 4-DFP, Part Status: Active.

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BFU760F,115 BFU760F,115 Hersteller : NXP USA Inc. BFU760F.pdf Description: RF TRANS NPN 2.8V 45GHZ 4-DFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 220mW
Current - Collector (Ic) (Max): 70mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 155 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 45GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.4dB ~ 0.5dB @ 1.5GHz ~ 2.4GHz
Supplier Device Package: 4-DFP
Part Status: Active
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BFU760F,115 BFU760F,115 Hersteller : NXP Semiconductors BFU760F.pdf RF Bipolar Transistors NPN WIDEBAND SILICON GERMANIUM RF TRANS
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