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BSC340N08NS3GATMA1 Транзистор

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Transistoren > MOSFET N-CH

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BSC340N08NS3GATMA1 BSC340N08NS3GATMA1 Infineon Technologies bsc340n08ns3g_rev2.4.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 7A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC340N08NS3GATMA1 BSC340N08NS3GATMA1 Infineon Technologies bsc340n08ns3g_rev2.4.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 7A 8-Pin TDSON EP T/R
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500+0.44 EUR
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2500+0.4 EUR
5000+0.38 EUR
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Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 12µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 756 pF @ 40 V
auf Bestellung 10000 Stücke:
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10000+0.47 EUR
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BSC340N08NS3GATMA1 BSC340N08NS3GATMA1 Infineon Technologies bsc340n08ns3g_rev2.4.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 7A 8-Pin TDSON EP T/R
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163+0.9 EUR
171+0.85 EUR
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500+0.53 EUR
1000+0.47 EUR
2000+0.44 EUR
5000+0.39 EUR
10000+0.35 EUR
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BSC340N08NS3GATMA1 BSC340N08NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC340N08NS3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 23A; 32W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 23A
Power dissipation: 32W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 5569 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
79+0.92 EUR
108+0.67 EUR
144+0.5 EUR
250+0.45 EUR
500+0.42 EUR
1000+0.38 EUR
2000+0.35 EUR
2500+0.34 EUR
5000+0.31 EUR
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BSC340N08NS3GATMA1 BSC340N08NS3GATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSC340N08NS3G_DS_v02_06_en.pdf MOSFETs N-Ch 80V 23A TDSON-8 OptiMOS 3
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2+1.57 EUR
10+1.12 EUR
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500+0.65 EUR
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BSC340N08NS3GATMA1 BSC340N08NS3GATMA1 Infineon Technologies BSC340N08NS3G_rev2.6.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431add1d95011ae81c21f2563a Description: MOSFET N-CH 80V 7A/23A TDSON-8-5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 12µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 756 pF @ 40 V
auf Bestellung 13141 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.06 EUR
14+1.3 EUR
100+0.86 EUR
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BSC340N08NS3GATMA1 BSC340N08NS3GATMA1 INFINEON 1648213.pdf Description: INFINEON - BSC340N08NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 23 A, 0.034 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 506093 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSC340N08NS3GATMA1 BSC340N08NS3GATMA1 Infineon Technologies bsc340n08ns3g_rev2.4.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 7A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 179 Stücke:
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BSC340N08NS3GATMA1 BSC340N08NS3GATMA1 Infineon Technologies bsc340n08ns3g_rev2.4.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 7A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC340N08NS3GATMA1 BSC340N08NS3GATMA1 INFINEON 1648213.pdf Description: INFINEON - BSC340N08NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 23 A, 0.034 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 882267 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSC340N08NS3GATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC340N08NS3G.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 80, Id = 7 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 756 @ 40, Qg, нКл = 9,1 @ 10 В, Rds = 34 мОм @ 12 A, 10 В, Ugs(th) = 3,5 В @ 12 мкА, Р, Вт = 2,5, 32, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd, Id2 = 23 A,... Транзистори Корпус: PG-TDSON-8-5 Од
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BSC340N08NS3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 7A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSC340N08NS3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 7A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
5000+0.44 EUR
10000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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BSC340N08NS3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 7A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
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5000+0.46 EUR
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BSC340N08NS3GATMA1
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Trans MOSFET N-CH 80V 7A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
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BSC340N08NS3GATMA1
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Trans MOSFET N-CH 80V 7A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 28633 Stücke:
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AnzahlPreis
298+0.49 EUR
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BSC340N08NS3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 7A/23A TDSON-8-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 12µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 756 pF @ 40 V
auf Bestellung 10000 Stücke:
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AnzahlPreis
5000+0.5 EUR
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Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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BSC340N08NS3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 7A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 18361 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
163+0.9 EUR
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BSC340N08NS3GATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 23A; 32W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 23A
Power dissipation: 32W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 5569 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
79+0.92 EUR
108+0.67 EUR
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BSC340N08NS3GATMA1 Infineon_BSC340N08NS3G_DS_v02_06_en.pdf
BSC340N08NS3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 80V 23A TDSON-8 OptiMOS 3
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2+1.57 EUR
10+1.12 EUR
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BSC340N08NS3GATMA1 BSC340N08NS3G_rev2.6.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431add1d95011ae81c21f2563a
BSC340N08NS3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 7A/23A TDSON-8-5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 12µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 756 pF @ 40 V
auf Bestellung 13141 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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9+2.06 EUR
14+1.3 EUR
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BSC340N08NS3GATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC340N08NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 23 A, 0.034 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 506093 Stücke:
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BSC340N08NS3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 7A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC340N08NS3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 7A 8-Pin TDSON EP T/R
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Mindestbestellmenge: 23 Stücke
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BSC340N08NS3GATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC340N08NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 23 A, 0.034 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 882267 Stücke:
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BSC340N08NS3GATMA1 Infineon-BSC340N08NS3G.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
N-канальний ПТ, Udss, В = 80, Id = 7 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 756 @ 40, Qg, нКл = 9,1 @ 10 В, Rds = 34 мОм @ 12 A, 10 В, Ugs(th) = 3,5 В @ 12 мкА, Р, Вт = 2,5, 32, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd, Id2 = 23 A,... Транзистори Корпус: PG-TDSON-8-5 Од
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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LM74700QDBVTQ1
Produktcode: 172220
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suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Flm74700-q1
IC > IC Spannungs Supervisor, Akku-Laderegler
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2,2uF 50V X5R 10% 0603 4k/reel (C0603X225K063NT-Hitano) (конденсатор керамический SMD)
Produktcode: 153923
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mlcc-approval_20190116.pdf
2,2uF 50V X5R 10% 0603 4k/reel (C0603X225K063NT-Hitano) (конденсатор керамический SMD)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 0603
Kapazität: 2,2 µF
Nennspannung: 50 V
Dielektrikum: X5R
Präzision: ±10% K
Größentyp: 0603
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erwartet: 8000 St.
  • 8000 St. - erwartet 10.08.2026
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A2501WR-10P (NX2500-10SMR)
Produktcode: 107126
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A2501WV-XP.pdf
A2501WR-10P (NX2500-10SMR)A2501WR-10P (NX2500-10SMR)
A2501WR-10P (NX2500-10SMR)A2501WR-10P (NX2500-10SMR)
Hersteller: JOINT TECH
Steckverbinder, Reihenklemmen > Kleinleistungs Steckverbinder
Beschreibung: Гніздо кутове; провід-плата; "тато"; 2,5мм; PIN: 10; THT; 250В; 3А;
Stecker/Buchse: Гніздо
Anzahl Kontakte: 10
2,5 mm
Серія роз’єма: NX2500
Монтаж: на плату
auf Bestellung 470 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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15 kOhm 5% 0,1W 50V 0603 (RC0603JR-0715KL-Yageo)
Produktcode: 105487
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rc0603-272842.pdf
15 kOhm 5% 0,1W 50V 0603 (RC0603JR-0715KL-Yageo)
Hersteller: Yageo
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0603
Hersteller: 15 kOhm
Resistenz: +/-5% J
Präzision: 0,1
P Nenn.,W: 50V
U Betriebs.,V: 0603
auf Bestellung 81470 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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RC0603JR-07100RL
Produktcode: 92135
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RC0603JR-07100RL
Hersteller: Yageo
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0603
Hersteller: 100 Ohm
Resistenz: ±5% J
Präzision: 0,1 W
P Nenn.,W: 50 V
U Betriebs.,V: 0603
Produkt ist nicht verfügbar
AnzahlPreis
10+0.0028 EUR
100+0.0016 EUR
1000+0.00096 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
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