Technische Details BSM200GB120DN2
- IGBT MODULE, DUAL, 1200V
- Transistor Type:IGBT Module
- Voltage Vces:1200V
- Max Current Ic Continuous a:200A
- Max Voltage Vce Sat:3V
- Power Dissipation:1400W
- Case Style:Half Bridge 2
- Termination Type:Screw
- SVHC:Cobalt dichloride
- Alternate Case Style:M62a
- Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:1200V
- Current Temperature:80`C
- Fall Time Tf:120ns
- Power Dissipation Pd:1400W
- Pulsed Current Icm:400A
- Rise Time:160ns
Weitere Produktangebote BSM200GB120DN2
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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| BSM200GB120DN2 | Hersteller : EUPEC |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| BSM200GB120DN2 | Hersteller : EUPEC | 200A/1200V/IGBT/2U |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| BSM200GB120DN2 | Hersteller : EUPEC | A4-2 |
auf Bestellung 19 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| BSM200GB120DN2 | Hersteller : EUPEC | MODULE |
auf Bestellung 606 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| BSM200GB120DN2 | Hersteller : EUPEC IGBT | 200a1200v2u |
auf Bestellung 36 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| BSM200GB120DN2 | Hersteller : module |
auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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BSM200GB120DN2 Produktcode: 210141
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Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 1 |
Produkt ist nicht verfügbar
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BSM 200GB120DN2 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans IGBT Module N-CH 1200V 290A 1400000mW 7-Pin 62MM-1 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BSM200GB120DN2 | Hersteller : Infineon Technologies |
IGBT Modules 1200V 200A DUAL |
Produkt ist nicht verfügbar |