BSM200GB120DN2


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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule

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Technische Details BSM200GB120DN2

  • IGBT MODULE, DUAL, 1200V
  • Transistor Type:IGBT Module
  • Voltage Vces:1200V
  • Max Current Ic Continuous a:200A
  • Max Voltage Vce Sat:3V
  • Power Dissipation:1400W
  • Case Style:Half Bridge 2
  • Termination Type:Screw
  • SVHC:Cobalt dichloride
  • Alternate Case Style:M62a
  • Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:1200V
  • Current Temperature:80`C
  • Fall Time Tf:120ns
  • Power Dissipation Pd:1400W
  • Pulsed Current Icm:400A
  • Rise Time:160ns

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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BSM200GB120DN2 Hersteller : module
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BSM200GB120DN2
Produktcode: 210141
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