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BSM200GB120DN2

Produktcode: 34676
Hersteller:
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule

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Technische Details BSM200GB120DN2

  • IGBT MODULE, DUAL, 1200V
  • Transistor Type:IGBT Module
  • Voltage Vces:1200V
  • Max Current Ic Continuous a:200A
  • Max Voltage Vce Sat:3V
  • Power Dissipation:1400W
  • Case Style:Half Bridge 2
  • Termination Type:Screw
  • SVHC:Cobalt dichloride
  • Alternate Case Style:M62a
  • Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:1200V
  • Current Temperature:80`C
  • Fall Time Tf:120ns
  • Power Dissipation Pd:1400W
  • Pulsed Current Icm:400A
  • Rise Time:160ns

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
BSM200GB120DN2 Hersteller : EUPEC
auf Bestellung 100 Stücke:
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BSM200GB120DN2 Hersteller : EUPEC 200A/1200V/IGBT/2U
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BSM200GB120DN2 Hersteller : EUPEC A4-2
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BSM200GB120DN2 Hersteller : EUPEC MODULE
auf Bestellung 606 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BSM200GB120DN2 Hersteller : EUPEC IGBT 200a1200v2u
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BSM200GB120DN2 Hersteller : module
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BSM200GB120DN2
Produktcode: 210141
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Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 1
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BSM 200GB120DN2 BSM 200GB120DN2 Hersteller : Infineon Technologies 200gb120dn2.pdf Trans IGBT Module N-CH 1200V 290A 1400000mW 7-Pin 62MM-1
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BSM200GB120DN2 BSM200GB120DN2 Hersteller : Infineon Technologies infineon_infns09007-1.pdf IGBT Modules 1200V 200A DUAL
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