BSM200GB120DN2
Produktcode: 34676
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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Technische Details BSM200GB120DN2
- IGBT MODULE, DUAL, 1200V
- Transistor Type:IGBT Module
- Voltage Vces:1200V
- Max Current Ic Continuous a:200A
- Max Voltage Vce Sat:3V
- Power Dissipation:1400W
- Case Style:Half Bridge 2
- Termination Type:Screw
- SVHC:Cobalt dichloride
- Alternate Case Style:M62a
- Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:1200V
- Current Temperature:80`C
- Fall Time Tf:120ns
- Power Dissipation Pd:1400W
- Pulsed Current Icm:400A
- Rise Time:160ns
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| BSM200GB120DN2 | module |
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auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| BSM200GB120DN2 | |
Hersteller: module
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