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BSM25GB120DN2 Infineon Technologies

EUPCS02843-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 25A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 38 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 200 W
Current - Collector Cutoff (Max): 800 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.65 nF @ 25 V
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Technische Details BSM25GB120DN2 Infineon Technologies

Description: IGBT MODULE, Packaging: Bulk, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Half Bridge, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 25A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: Module, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 38 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 200 W, Current - Collector Cutoff (Max): 800 µA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.65 nF @ 25 V.

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BSM25GB120DN2 ROCHESTER ELECTRONICS EUPCS02843-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BSM25GB120DN2 - BSM25GB120 INSULATED GATE BIPOLAR TRANS
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SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BSM25GB120DN2 - BSM25GB120 INSULATED GATE BIPOLAR TRANS
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