Produkte > Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule > BSM50GD120DN2

BSM50GD120DN2

Produktcode: 31165
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Hersteller:
ZCODE: 8541290010
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details BSM50GD120DN2

  • IGBT MODULE, 1200V, ECONOPACK3
  • Transistor Type:IGBT Module
  • Voltage Vces:1200V
  • Max Current Ic Continuous a:50A
  • Max Voltage Vce Sat:3V
  • Power Dissipation:350W
  • Case Style:Econopack 3
  • Termination Type:Solder
  • SVHC:Cobalt dichloride
  • Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:1200V
  • Current Temperature:80`C
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • No. of Transistors:6
  • Power Dissipation Pd:350W
  • Pulsed Current Icm:100A
  • Typ Voltage Vce Sat:2.5V

Weitere Produktangebote BSM50GD120DN2

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
BSM50GD120DN2 Infineon description Силові IGBT-модулі
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSM50GD120DN2 Infineon Technologies infineon_eupcs02651-1-1735650.pdf description IGBT Modules 1200V 50A FL BRIDGE
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSM50GD120DN2 description
Hersteller: Infineon
Силові IGBT-модулі
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSM50GD120DN2 description infineon_eupcs02651-1-1735650.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
IGBT Modules 1200V 50A FL BRIDGE
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH