BSP149L6327
Produktcode: 36908
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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Technische Details BSP149L6327
- MOSFET, N, REEL 1K
- Transistor Type:MOSFET
- Transistor Polarity:N
- Typ Voltage Vds:200V
- Cont Current Id:0.48A
- On State Resistance:1.8ohm
- Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
- Typ Voltage Vgs th:-1.4V
- Case Style:SOT-223
- Termination Type:SMD
- SVHC:Cobalt dichloride
- Current Temperature:25`C
- External Depth:7.3mm
- External Length / Height:1.7mm
- External Width:6.7mm
- Full Power Rating Temperature:25`C
- Max Junction Temperature Tj:150`C
- Max Power Dissipation Ptot:1.8W
- Max Voltage Vds:200V
- Max Voltage Vgs th:0.7V
- Min Junction Temperature, Tj:-55`C
- No. of Transistors:1
- Power Dissipation:1.8W
- Power Dissipation Pd:1.8W
- Pulse Current Idm:1.44A
- Reel Quantity:1000
- SMD Marking:BSP149
- Tape Width:12mm
- Transistor Case Style:SOT-223
Weitere Produktangebote BSP149L6327 nach Preis ab 0.55 EUR bis 0.83 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||
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BSP149 L6327 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 1909 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSP149 L6327 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 53751 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSP149L6327 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 400µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V |
auf Bestellung 1910 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSP149L6327 | Hersteller : ROCHESTER ELECTRONICS |
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BSP149L6327 - BSP149 60V-600V N-CHANNEL DEPLETION MOD tariffCode: 85412100 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 1910 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSP149L6327 |
BSP149L6327 Транзисторы MOS FET Small Signal |
auf Bestellung 11 Stücke: Lieferzeit 7-21 Tag (e) |
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| BSP149L6327 | Hersteller : Infineon |
MOSFET N-Ch 200V 0.66A, TO-261AA Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| BSP149 L6327 | Hersteller : Infineon Technologies |
N-канальний ПТ, Id = 660 мА, Ptot, Вт = 1,8, Udss, В = 200, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 430 @ 25, Qg, нКл = 14 @ 5, Rds = 1,8 Ом @ 660 мA, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1 В @ 400 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BSP149 L6327 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 200V 660mA SOT-223-3 |
Produkt ist nicht verfügbar |