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BSP149L6327

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Produktcode: 36908
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule

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Technische Details BSP149L6327

  • MOSFET, N, REEL 1K
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:200V
  • Cont Current Id:0.48A
  • On State Resistance:1.8ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:-1.4V
  • Case Style:SOT-223
  • Termination Type:SMD
  • SVHC:Cobalt dichloride
  • Current Temperature:25`C
  • External Depth:7.3mm
  • External Length / Height:1.7mm
  • External Width:6.7mm
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Max Junction Temperature Tj:150`C
  • Max Power Dissipation Ptot:1.8W
  • Max Voltage Vds:200V
  • Max Voltage Vgs th:0.7V
  • Min Junction Temperature, Tj:-55`C
  • No. of Transistors:1
  • Power Dissipation:1.8W
  • Power Dissipation Pd:1.8W
  • Pulse Current Idm:1.44A
  • Reel Quantity:1000
  • SMD Marking:BSP149
  • Tape Width:12mm
  • Transistor Case Style:SOT-223

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
BSP149 L6327 BSP149 L6327 Infineon Technologies bsp149_rev1.2.pdffolderiddb3a304412b407950112b408e8c90004fileiddb3a304412b407950112b42ef8fa4acf.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1909 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
757+0.72 EUR
1000+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 757 Stücke
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BSP149 L6327 BSP149 L6327 Infineon Technologies bsp149_rev1.2.pdffolderiddb3a304412b407950112b408e8c90004fileiddb3a304412b407950112b42ef8fa4acf.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 53751 Stücke:
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BSP149L6327 BSP149L6327 Infineon Technologies INFNS19223-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw description Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
auf Bestellung 1910 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
545+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 545 Stücke
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BSP149L6327 INFNS19223-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw description BSP149L6327 Транзисторы MOS FET Small Signal
auf Bestellung 11 Stücke:
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BSP149 L6327 bsp149_rev1.2.pdffolderiddb3a304412b407950112b408e8c90004fileiddb3a304412b407950112b42ef8fa4acf.pdf
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Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
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Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
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BSP149L6327 Транзисторы MOS FET Small Signal
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