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BSP171PL6327 INFINEON


Hersteller: INFINEON

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Technische Details BSP171PL6327 INFINEON

Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.7A; 1.6W; SOT223, Type of transistor: P-MOSFET, Technology: SIPMOS™, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -60V, Drain current: -1.7A, Power dissipation: 1.6W, Case: SOT223, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 0.35Ω, Mounting: SMD, Kind of channel: enhancement.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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BSP171P L6327 BSP171P L6327 Hersteller : Infineon Technologies bsp171p_rev2.6.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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BSP171P L6327 BSP171P L6327 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-BSP171P-DS-v02_07-en-522822.pdf MOSFET P-Ch -60V 1.9A SOT-223-3
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BSP171PL6327 BSP171PL6327 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C0474584F02CF1A6F5005056AB5A8F&compId=BSP171PL6327-Infineon.pdf?ci_sign=6587f20be49b313554fe5477ac1761805f46a096 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.7A; 1.6W; SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.7A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
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