Technische Details BSP171PL6327 INFINEON
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.7A; 1.6W; SOT223, Type of transistor: P-MOSFET, Technology: SIPMOS™, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -60V, Drain current: -1.7A, Power dissipation: 1.6W, Case: SOT223, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 0.35Ω, Mounting: SMD, Kind of channel: enhancement.
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
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BSP171P L6327 | Hersteller : Infineon Technologies |
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BSP171P L6327 | Hersteller : Infineon Technologies |
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BSP171PL6327 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.7A; 1.6W; SOT223 Type of transistor: P-MOSFET Technology: SIPMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -1.7A Power dissipation: 1.6W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.35Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement |
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