Technische Details BSP171PL6327 INFINEON
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.7A; 1.6W; SOT223, Type of transistor: P-MOSFET, Technology: SIPMOS™, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -60V, Drain current: -1.7A, Power dissipation: 1.6W, Case: SOT223, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 0.35Ω, Mounting: SMD, Kind of channel: enhancement.
Weitere Produktangebote BSP171PL6327
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| BSP171PL6327 | Infineon |
 SOT-223, -60V, -1.7A, 0.35 Ohm Транзистори |
Produkt ist nicht verfügbar |
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 |
BSP171P L6327 | Infineon Technologies |
GaN FETs P-Ch -60V 1.9A SOT-223-3 |
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BSP171PL6327 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.7A; 1.6W; SOT223 Type of transistor: P-MOSFET Technology: SIPMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -1.7A Power dissipation: 1.6W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.35Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement |
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| BSP171PL6327 |
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Hersteller: Infineon
SOT-223, -60V, -1.7A, 0.35 Ohm Транзистори
SOT-223, -60V, -1.7A, 0.35 Ohm Транзистори
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| BSP171P L6327 |
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Hersteller: Infineon Technologies
GaN FETs P-Ch -60V 1.9A SOT-223-3
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| BSP171PL6327 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.7A; 1.6W; SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.7A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.7A; 1.6W; SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.7A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
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