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BUJ100LR,412

BUJ100LR,412 WeEn Semiconductors


BUJ100LR-1846655.pdf Hersteller: WeEn Semiconductors
Bipolar Transistors - BJT Trans GP BJT NPN 400V 1A 3-Pin
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Technische Details BUJ100LR,412 WeEn Semiconductors

Description: TRANS NPN 400V 1A TO-92-3, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 250mA, 750mA, Current - Collector Cutoff (Max): 1mA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 400mA, 5V, Supplier Device Package: TO-92-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V, Power - Max: 2.1 W.

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BUJ100LR,412 Hersteller : WeEn Semiconductors buj100lr.pdf BUJ100LR.412 NPN THT transistors
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BUJ100LR,412 BUJ100LR,412 Hersteller : Ween buj100lr.pdf Trans GP BJT NPN 400V 1A 2100mW 3-Pin SPT Bulk
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BUJ100LR,412 BUJ100LR,412 Hersteller : WeEn Semiconductors buj100lr.pdf Description: TRANS NPN 400V 1A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 250mA, 750mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 400mA, 5V
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 2.1 W
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