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Technische Details BUK764R2-80E,118 NXP USA Inc.
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; Idm: 713A; 324W, On-state resistance: 10.2mΩ, Mounting: SMD, Pulsed drain current: 713A, Power dissipation: 324W, Gate charge: 136nC, Polarisation: unipolar, Drain current: 120A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 80V, Application: automotive industry, Type of transistor: N-MOSFET, Gate-source voltage: ±20V, Kind of package: reel; tape, Case: D2PAK; SOT404.
Weitere Produktangebote BUK764R2-80E,118 nach Preis ab 5.76 EUR bis 5.76 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||
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| BUK764R2-80E,118 | NXP Semiconductors |
 BUK764R2-80E,118 |
auf Bestellung 121 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BUK764R2-80E,118 |
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Hersteller: NXP Semiconductors
BUK764R2-80E,118
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 115+ | 5.76 EUR |