BUK98150-55A,135 NXP USA Inc.
Hersteller: NXP USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 55V 5.5A SOT-223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 137mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SC-73
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
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Technische Details BUK98150-55A,135 NXP USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 55V 5.5A SOT-223, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 137mOhm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 8W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA, Supplier Device Package: SC-73, Grade: Automotive, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±15V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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BUK98150-55A,135 | Nexperia |
MOSFET TAPE13 PWR-MOS |
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BUK98150-55A,135 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK98150-55A,135 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 5.5 A, 0.137 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55 Dauer-Drainstrom Id: 5.5 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 8 Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.137 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 1.5 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
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Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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BUK98150-55A,135 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK98150-55A,135 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 5.5 A, 0.137 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55 Dauer-Drainstrom Id: 5.5 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 8 Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.137 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 1.5 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
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| BUK98150-55A,135 |
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Hersteller: Nexperia
MOSFET TAPE13 PWR-MOS
MOSFET TAPE13 PWR-MOS
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| BUK98150-55A,135 |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK98150-55A,135 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 5.5 A, 0.137 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55
Dauer-Drainstrom Id: 5.5
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 8
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.137
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.5
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: NEXPERIA - BUK98150-55A,135 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 5.5 A, 0.137 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55
Dauer-Drainstrom Id: 5.5
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
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Bauform - Transistor: SOT-223
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Betriebstemperatur, max.: 150
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SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
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| BUK98150-55A,135 |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK98150-55A,135 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 5.5 A, 0.137 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55
Dauer-Drainstrom Id: 5.5
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 8
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
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Betriebstemperatur, max.: 150
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SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55
Dauer-Drainstrom Id: 5.5
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 8
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.137
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.5
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
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