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BYV28-600-TAP

BYV28-600-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division

byv28600.pdf Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 600V 3.5A SOD64
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: SOD-64, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 210 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 3.5A
Supplier Device Package: SOD-64
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
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Technische Details BYV28-600-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: DIODE AVALANCHE 600V 3.5A SOD64, Packaging: Tape & Box (TB), Package / Case: SOD-64, Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 210 ns, Technology: Avalanche, Current - Average Rectified (Io): 3.5A, Supplier Device Package: SOD-64, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 5 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V.

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BYV28-600-TAP BYV28-600-TAP Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division byv28600.pdf Description: DIODE AVALANCHE 600V 3.5A SOD64
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-64, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 210 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 3.5A
Supplier Device Package: SOD-64
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 5 A
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