BZV85-C6V8 NXP


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Produktcode: 23998
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Hersteller: NXP
Gehäuse: DO-41
Ustab.,V: 6,8
Istab.direkt,A: 0,147
Pmax: 1
Монтаж: THT
Температурний коефіцієнт: 1.3 до 4.3mV/K
auf Bestellung 1603 St.:
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Technische Details BZV85-C6V8 NXP

  • DIODE, ZENER, 6.8V, 1.3W
  • Voltage Vz:6.8V
  • Test Current:35mA
  • Max Power Dissipation:1W
  • Termination Type:Axial Leaded
  • Case Style:DO-41
  • No. of Pins:2
  • Device Marking:BZV85-C6V8
  • Diode Type:Zener
  • External Diameter:2.6mm
  • External Length / Height:4.8mm
  • Max Power Dissipation Ptot:1W
  • Tolerance:5%
  • Zener Current:500mA

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
BZV85-C6V8 Nexperia description Array
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Hersteller: Nexperia
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Kapazität: 100uF
Nennspannung: 50V
Reihe: EHR
Temp.Bereich: -40...+105°C
Abmessungen: 8x12mm
Lebensdauer: 8х12mm
№ 8: 2000 годин
8532 22 00 00
verfügbar: 5824 St.
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Gehäuse: DO-41
Ustab.,V: 5,6
Istab.direkt,A: 45mA
Pmax: 1
Монтаж: THT
Температурний коефіцієнт: -
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Kapazität: 10nF
Nennspannung, V: 630VDC
Präzision: ±10% K
Abstand ausg. und Abmessungen: P=10mm, 5,5x10x13mm
Dielektrikum, Isolationswiderstand: Polyester
Abschwächungskonstante: 1% max. bei 1KHz, 25°С
Part Nummer: MER103K2JB
ZCODE: 8532 29 00 00
verfügbar: 4541 St.
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h21: 300
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Gehäuse: DO-41
Ustab.,V: 15
Istab.direkt,A: 15mA
Pmax: 1
Монтаж: THT
Температурний коефіцієнт: -
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