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C3M0120090D

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Produktcode: 165992
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
C3M0120090D C3M0120090D Wolfspeed wolfspeed_c3m0120090d_data_sheet.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 900V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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179+10.41 EUR
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C3M0120090D C3M0120090D Wolfspeed wolfspeed_c3m0120090d_data_sheet.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 900V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 158 Stücke:
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8+22.73 EUR
10+18.86 EUR
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C3M0120090D C3M0120090D WOLFSPEED CREE-S-A0011471795-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: WOLFSPEED - C3M0120090D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 23 A, 900 V, 0.12 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 97W
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: C2M
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
auf Bestellung 128 Stücke:
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10+26.29 EUR
11+22.55 EUR
12+19.11 EUR
50+18.72 EUR
100+18.34 EUR
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C3M0120090D C3M0120090D Wolfspeed 12BFAF87056F065A925AD3C520A30B7A9AF97A8D830682923A90517BEA16F402.pdf SiC MOSFETs G3 SiC MOSFET 900V, 120mOhm
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1+28.17 EUR
10+21.44 EUR
120+17.86 EUR
510+15.92 EUR
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C3M0120090D C3M0120090D CREE info-tc3m0120090d.pdf N-MOSFET 900V 23A C3M0120090D Cree/Wolfspeed TC3M0120090D
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
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Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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C3M0120090D C3M0120090D Wolfspeed(CREE) C3M0120090D-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 23A; 97W; TO247-3; 24ns
Technology: C3M™; SiC
Mounting: THT
Case: TO247-3
Power dissipation: 97W
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 900V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 0.12Ω
Reverse recovery time: 24ns
Gate charge: 17.3nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 23A
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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C3M0120090D C3M0120090D Wolfspeed wolfspeed_c3m0120090d_data_sheet.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 900V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 179 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 179 Stücke
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C3M0120090D
Hersteller: Wolfspeed
Trans MOSFET N-CH SiC 900V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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AnzahlPrivatkunde
179+10.41 EUR
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C3M0120090D
Hersteller: Wolfspeed
Trans MOSFET N-CH SiC 900V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 158 Stücke:
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C3M0120090D CREE-S-A0011471795-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
C3M0120090D
Hersteller: WOLFSPEED
Description: WOLFSPEED - C3M0120090D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 23 A, 900 V, 0.12 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 97W
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: C2M
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
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SiC MOSFETs G3 SiC MOSFET 900V, 120mOhm
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N-MOSFET 900V 23A C3M0120090D Cree/Wolfspeed TC3M0120090D
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C3M0120090D
Hersteller: Wolfspeed(CREE)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 23A; 97W; TO247-3; 24ns
Technology: C3M™; SiC
Mounting: THT
Case: TO247-3
Power dissipation: 97W
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 900V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 0.12Ω
Reverse recovery time: 24ns
Gate charge: 17.3nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 23A
auf Bestellung 17 Stücke:
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C3M0120090D wolfspeed_c3m0120090d_data_sheet.pdf
C3M0120090D
Hersteller: Wolfspeed
Trans MOSFET N-CH SiC 900V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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