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C3M0120090D

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Produktcode: 165992
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
C3M0120090D C3M0120090D Wolfspeed wolfspeed_c3m0120090d_data_sheet.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 900V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 179 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
179+10.41 EUR
Mindestbestellmenge: 179 Stücke
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C3M0120090D C3M0120090D Wolfspeed wolfspeed_c3m0120090d_data_sheet.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 900V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 1350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+12.51 EUR
300+12.21 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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C3M0120090D C3M0120090D Wolfspeed wolfspeed_c3m0120090d_data_sheet.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 900V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 1350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+12.51 EUR
300+11.94 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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C3M0120090D C3M0120090D Wolfspeed(CREE) C3M0120090D-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 23A; 97W; TO247-3; 24ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: C3M™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 23A
Power dissipation: 97W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Gate charge: 17.3nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 24ns
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+12.89 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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C3M0120090D C3M0120090D Wolfspeed wolfspeed_c3m0120090d_data_sheet.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 900V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 158 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+22.73 EUR
12+14.73 EUR
25+13.57 EUR
100+11.28 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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C3M0120090D C3M0120090D Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_C3M0120090D_data_sheet.pdf Description: SICFET N-CH 900V 23A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 15A, 15V
Power Dissipation (Max): 97W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 414 pF @ 600 V
auf Bestellung 188 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+26.64 EUR
30+16.24 EUR
120+13.96 EUR
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C3M0120090D C3M0120090D Wolfspeed 12BFAF87056F065A925AD3C520A30B7A9AF97A8D830682923A90517BEA16F402.pdf SiC MOSFETs G3 SiC MOSFET 900V, 120mOhm
auf Bestellung 123 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+28.17 EUR
10+21.44 EUR
120+17.86 EUR
510+15.92 EUR
1020+14.88 EUR
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C3M0120090D C3M0120090D CREE info-tc3m0120090d.pdf N-MOSFET 900V 23A C3M0120090D Cree/Wolfspeed TC3M0120090D
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+31.69 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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C3M0120090D C3M0120090D WOLFSPEED CREE-S-A0011471795-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: WOLFSPEED - C3M0120090D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 23 A, 900 V, 0.12 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 97W
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: C2M
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
auf Bestellung 128 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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C3M0120090D C3M0120090D Wolfspeed wolfspeed_c3m0120090d_data_sheet.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 900V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 179 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 179 Stücke
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C3M0120090D wolfspeed_c3m0120090d_data_sheet.pdf
C3M0120090D
Hersteller: Wolfspeed
Trans MOSFET N-CH SiC 900V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 179 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
179+10.41 EUR
Mindestbestellmenge: 179 Stücke
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C3M0120090D wolfspeed_c3m0120090d_data_sheet.pdf
C3M0120090D
Hersteller: Wolfspeed
Trans MOSFET N-CH SiC 900V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 1350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
30+12.51 EUR
300+12.21 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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C3M0120090D wolfspeed_c3m0120090d_data_sheet.pdf
C3M0120090D
Hersteller: Wolfspeed
Trans MOSFET N-CH SiC 900V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 1350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
30+12.51 EUR
300+11.94 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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C3M0120090D C3M0120090D-DTE.pdf
C3M0120090D
Hersteller: Wolfspeed(CREE)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 23A; 97W; TO247-3; 24ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: C3M™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 23A
Power dissipation: 97W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Gate charge: 17.3nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 24ns
auf Bestellung 26 Stücke:
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7+12.89 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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C3M0120090D wolfspeed_c3m0120090d_data_sheet.pdf
C3M0120090D
Hersteller: Wolfspeed
Trans MOSFET N-CH SiC 900V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 158 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
8+22.73 EUR
12+14.73 EUR
25+13.57 EUR
100+11.28 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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C3M0120090D Wolfspeed_C3M0120090D_data_sheet.pdf
C3M0120090D
Hersteller: Wolfspeed, Inc.
Description: SICFET N-CH 900V 23A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 15A, 15V
Power Dissipation (Max): 97W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 414 pF @ 600 V
auf Bestellung 188 Stücke:
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1+26.64 EUR
30+16.24 EUR
120+13.96 EUR
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C3M0120090D 12BFAF87056F065A925AD3C520A30B7A9AF97A8D830682923A90517BEA16F402.pdf
C3M0120090D
Hersteller: Wolfspeed
SiC MOSFETs G3 SiC MOSFET 900V, 120mOhm
auf Bestellung 123 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
1+28.17 EUR
10+21.44 EUR
120+17.86 EUR
510+15.92 EUR
1020+14.88 EUR
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C3M0120090D
Hersteller: CREE
N-MOSFET 900V 23A C3M0120090D Cree/Wolfspeed TC3M0120090D
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
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2+31.69 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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C3M0120090D CREE-S-A0011471795-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
C3M0120090D
Hersteller: WOLFSPEED
Description: WOLFSPEED - C3M0120090D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 23 A, 900 V, 0.12 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 97W
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: C2M
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
auf Bestellung 128 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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C3M0120090D wolfspeed_c3m0120090d_data_sheet.pdf
C3M0120090D
Hersteller: Wolfspeed
Trans MOSFET N-CH SiC 900V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 179 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 179 Stücke
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