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C3M0280090J

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Produktcode: 118894
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
C3M0280090J C3M0280090J Wolfspeed c3m0280090j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 900V 11A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
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C3M0280090J C3M0280090J Wolfspeed c3m0280090j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 900V 11A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
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C3M0280090J C3M0280090J CREE info-tc3m0280090j.pdf N-MOSFET 900V 11A C3M0280090J Cree/Wolfspeed TC3M0280090J
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
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C3M0280090J C3M0280090J Wolfspeed 39DE274E68440EED3C6DA38EE5857BE29619339E383DDB56C92ADDBB33E6BF6C.pdf SiC MOSFETs G3 SiC MOSFET 900V, 280 mOhm
auf Bestellung 51 Stücke:
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100+8.96 EUR
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C3M0280090J C3M0280090J Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_C3M0280090J_data_sheet.pdf Description: SICFET N-CH 900V 11A D2PAK-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 7.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 600 V
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2+17.86 EUR
50+9.83 EUR
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C3M0280090J C3M0280090J WOLFSPEED CREE-S-A0013446613-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: WOLFSPEED - C3M0280090J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 11 A, 900 V, 0.28 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 50W
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: C2M
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
auf Bestellung 62 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+21.11 EUR
16+15.2 EUR
22+9.96 EUR
50+9.66 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
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C3M0280090J C3M0280090J Wolfspeed(CREE) C3M0280090J-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 11A; 50W; D2PAK-7; 20ns
Mounting: SMD
Power dissipation: 50W
Gate charge: 9.5nC
Polarisation: unipolar
Technology: C3M™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 11A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 900V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -8...19V
Case: D2PAK-7
On-state resistance: 0.28Ω
Reverse recovery time: 20ns
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+28.37 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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C3M0280090J c3m0280090j.pdf
C3M0280090J
Hersteller: Wolfspeed
Trans MOSFET N-CH SiC 900V 11A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
auf Bestellung 50 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
50+10.69 EUR
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C3M0280090J c3m0280090j.pdf
C3M0280090J
Hersteller: Wolfspeed
Trans MOSFET N-CH SiC 900V 11A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
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50+10.69 EUR
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C3M0280090J
Hersteller: CREE
N-MOSFET 900V 11A C3M0280090J Cree/Wolfspeed TC3M0280090J
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
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C3M0280090J 39DE274E68440EED3C6DA38EE5857BE29619339E383DDB56C92ADDBB33E6BF6C.pdf
C3M0280090J
Hersteller: Wolfspeed
SiC MOSFETs G3 SiC MOSFET 900V, 280 mOhm
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C3M0280090J Wolfspeed_C3M0280090J_data_sheet.pdf
C3M0280090J
Hersteller: Wolfspeed, Inc.
Description: SICFET N-CH 900V 11A D2PAK-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 7.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 600 V
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C3M0280090J
Hersteller: WOLFSPEED
Description: WOLFSPEED - C3M0280090J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 11 A, 900 V, 0.28 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
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MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 50W
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: C2M
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
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C3M0280090J
Hersteller: Wolfspeed(CREE)
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 11A; 50W; D2PAK-7; 20ns
Mounting: SMD
Power dissipation: 50W
Gate charge: 9.5nC
Polarisation: unipolar
Technology: C3M™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 11A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 900V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -8...19V
Case: D2PAK-7
On-state resistance: 0.28Ω
Reverse recovery time: 20ns
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