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CGHV96100F2 MACOM

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Hersteller: MACOM
Trans RF MOSFET 120V 12A 3-PinCase 440217
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Technische Details CGHV96100F2 MACOM

Description: RF MOSFET HEMT 40V 440210, Current - Test: 1 A, Voltage - Test: 40 V, Voltage - Rated: 100 V, Supplier Device Package: 440210, Technology: HEMT, Gain: 10.2dB, Power - Output: 131W, Frequency: 7.9GHz ~ 9.6GHz, Current Rating (Amps): 12A, Package / Case: 440210, Packaging: Tray.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
CGHV96100F2 CREE CGHV96100F2.pdf RF MOSFET HEMT 40V 440210 Транзистори
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CGHV96100F2 CGHV96100F2 MACOM Technology Solutions CGHV96100F2.pdf Description: RF MOSFET HEMT 40V 440210
Current - Test: 1 A
Voltage - Test: 40 V
Voltage - Rated: 100 V
Supplier Device Package: 440210
Technology: HEMT
Gain: 10.2dB
Power - Output: 131W
Frequency: 7.9GHz ~ 9.6GHz
Current Rating (Amps): 12A
Package / Case: 440210
Packaging: Tray
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CGHV96100F2 CGHV96100F2 MACOM CGHV96100F2.pdf GaN FETs GaN HEMT 7.9-9.6GHz, 100 Watt
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Hersteller: CREE
RF MOSFET HEMT 40V 440210 Транзистори
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CGHV96100F2
Hersteller: MACOM Technology Solutions
Description: RF MOSFET HEMT 40V 440210
Current - Test: 1 A
Voltage - Test: 40 V
Voltage - Rated: 100 V
Supplier Device Package: 440210
Technology: HEMT
Gain: 10.2dB
Power - Output: 131W
Frequency: 7.9GHz ~ 9.6GHz
Current Rating (Amps): 12A
Package / Case: 440210
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CGHV96100F2
Hersteller: MACOM
GaN FETs GaN HEMT 7.9-9.6GHz, 100 Watt
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