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DB103G

DB103G GeneSiC Semiconductor

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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT DB-PK 50-1000V 1A200P/140
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Technische Details DB103G GeneSiC Semiconductor

Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 1A DB, Packaging: Bulk, Package / Case: 4-EDIP (0.321", 8.15mm), Mounting Type: Through Hole, Diode Type: Single Phase, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: Standard, Supplier Device Package: DB, Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V, Current - Average Rectified (Io): 1 A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DB103G DB103G Navitas Semiconductor, Inc. db101g.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 1A DB
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DB103G
Hersteller: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 1A DB
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