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DB103G

DB103G GeneSiC Semiconductor

db103g-3477511.pdf Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT DB-PK 50-1000V 1A200P/140
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Technische Details DB103G GeneSiC Semiconductor

Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 1A DB, Packaging: Bulk, Package / Case: 4-EDIP (0.321", 8.15mm), Mounting Type: Through Hole, Diode Type: Single Phase, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: Standard, Supplier Device Package: DB, Part Status: Active, Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V, Current - Average Rectified (Io): 1 A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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DB103G DB103G Hersteller : GeneSiC Semiconductor db101g.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 1A DB
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-EDIP (0.321", 8.15mm)
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: DB
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V
Current - Average Rectified (Io): 1 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
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DB103-G DB103-G Hersteller : Comchip Technology DB101_G_Thru318701__DB107_G_RevC-2506141.pdf Bridge Rectifiers VR=200V, IO=1A
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DB103G Hersteller : GeneSiC Semiconductor db103g.pdf Rectifier Bridge Diode Single 200V 1A 4-Pin Case DB
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DB103-G DB103-G Hersteller : Comchip Technology DB101-G Thru318941. DB107-G RevC.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 1A DB
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-EDIP (0.321", 8.15mm)
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
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