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DG10X06T1 Transistor

Produktcode: 221713
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DG10X06T1 DG10X06T1 STARPOWER 3410767.pdf Description: STARPOWER - DG10X06T1 - IGBT, 25 A, 1.45 V, 196 W, 600 V, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
MSL: -
Verlustleistung: 196W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 25A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DOSEMI
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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DG10X06T1 DG10X06T1 STARPOWER SEMICONDUCTOR DG10X06T1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 19A; 196W; TO220
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 600V
Power dissipation: 196W
Gate charge: 70nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 30A
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 21ns
Kind of package: tube
Case: TO220
Turn-off time: 208ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 19A
auf Bestellung 125 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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DG10X06T1 3410767.pdf
DG10X06T1
Hersteller: STARPOWER
Description: STARPOWER - DG10X06T1 - IGBT, 25 A, 1.45 V, 196 W, 600 V, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
MSL: -
Verlustleistung: 196W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 25A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DOSEMI
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
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DG10X06T1 DG10X06T1.pdf
DG10X06T1
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 19A; 196W; TO220
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 600V
Power dissipation: 196W
Gate charge: 70nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 30A
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 21ns
Kind of package: tube
Case: TO220
Turn-off time: 208ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 19A
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Produktcode: 221714
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Relais
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0,3 Ohm 5% 2W bedrahtet (MOR200SJTB-0R3-Hitano)
Produktcode: 13879
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MOR_080911.pdf
0,3 Ohm 5% 2W bedrahtet (MOR200SJTB-0R3-Hitano)
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - 2W
Nennwiderstand: 0,3 Ohm
Toleranz und TKW: ±5%
P Nenn., W: 2 W
U Betrieb, V: 500 V
Abmessungen: 11x4.0 mm; Ø Anschluss = 0.76 mm
Typ: Metalloxid, miniatur
-55...+125°C
HS-Code: 8533 21 00 00
auf Bestellung: 866 St.
  • 866 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
11+0.12 EUR
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100+0.082 EUR
1000+0.07 EUR
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