Produkte > Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule > DG10X06T1 Transistor

DG10X06T1 Transistor

Produktcode: 221713
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Hersteller:
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule

Produkt ist nicht verfügbar
erwartet: 10 St.
  • 10 St. - erwartet
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Weitere Produktangebote DG10X06T1 Transistor nach Preis ab 1.43 EUR bis 1.99 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DG10X06T1 DG10X06T1 STARPOWER SEMICONDUCTOR DG10X06T1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 19A; 196W; TO220
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 19A
Power dissipation: 196W
Case: TO220
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 208ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 141 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
43+1.99 EUR
48+1.78 EUR
54+1.59 EUR
100+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 43 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DG10X06T1 DG10X06T1 STARPOWER Description: STARPOWER - DG10X06T1 - IGBT, 25 A, 1.45 V, 196 W, 600 V, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 196W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 25A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DOSEMI
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DG10X06T1 DG10X06T1.pdf
DG10X06T1
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 19A; 196W; TO220
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 19A
Power dissipation: 196W
Case: TO220
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 208ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 141 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
43+1.99 EUR
48+1.78 EUR
54+1.59 EUR
100+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 43 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DG10X06T1
DG10X06T1
Hersteller: STARPOWER
Description: STARPOWER - DG10X06T1 - IGBT, 25 A, 1.45 V, 196 W, 600 V, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 196W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 25A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DOSEMI
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH

Mit diesem Produkt kaufen

OJE-SH-112HMF,F095 Relais
Produktcode: 221714
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Relais
Produkt ist nicht verfügbar
erwartet: 10 St.
  • 10 St. - erwartet
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
0,3 Ohm 5% 2W bedrahtet (MOR200SJTB-0R3-Hitano)
Produktcode: 13879
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
MOR_080911.pdf
0,3 Ohm 5% 2W bedrahtet (MOR200SJTB-0R3-Hitano)
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - 2W
Nennwiderstand: 0,3 Ohm
Toleranz und TKW: ±5%
P Nenn., W: 2 W
U Betrieb, V: 500 V
Abmessungen: 11x4.0 mm; Ø Anschluss = 0.76 mm
Typ: Metalloxid, miniatur
-55...+125°C
HS-Code: 8533 21 00 00
auf Bestellung 1131 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.081 EUR
10+0.065 EUR
100+0.05 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH