DGTD65T15H2TF Diodes Zetex
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Technische Details DGTD65T15H2TF Diodes Zetex
Description: IGBT600V-XITO-220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 150 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A, Supplier Device Package: ITO-220AB, IGBT Type: Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 19ns/128ns, Switching Energy: 270µJ (on), 86µJ (off), Test Condition: 400V, 15A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 61 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 30 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A, Power - Max: 48 W.
Weitere Produktangebote DGTD65T15H2TF nach Preis ab 0.84 EUR bis 3.1 EUR
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Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||||||
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DGTD65T15H2TF | Hersteller : Diodes Zetex |
 Trans IGBT Chip N-CH 650V 30A 48W 3-Pin(3+Tab) ITO-220AB Tube |
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DGTD65T15H2TF | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 30A 48W 3-Pin(3+Tab) ITO-220AB Tube |
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DGTD65T15H2TF | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 24W; ITO220AB Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 15A Power dissipation: 24W Case: ITO220AB Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 60A Mounting: THT Gate charge: 61nC Kind of package: tube Turn-on time: 46ns Turn-off time: 280ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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DGTD65T15H2TF | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 24W; ITO220AB Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 15A Power dissipation: 24W Case: ITO220AB Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 60A Mounting: THT Gate charge: 61nC Kind of package: tube Turn-on time: 46ns Turn-off time: 280ns |
auf Bestellung 702 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DGTD65T15H2TF | Hersteller : Diodes Incorporated |
IGBT Transistors IGBT 600V-X |
auf Bestellung 742 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DGTD65T15H2TF | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: IGBT600V-XITO-220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A Supplier Device Package: ITO-220AB IGBT Type: Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 19ns/128ns Switching Energy: 270µJ (on), 86µJ (off) Test Condition: 400V, 15A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 61 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A Power - Max: 48 W |
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DGTD65T15H2TF | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DGTD65T15H2TF - IGBT, 30 A, 1.65 V, 48 W, 650 V, ITO-220AB, 3 Pin(s) tariffCode: 85411000 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 48W Bauform - Transistor: ITO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 850 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DGTD65T15H2TF | Hersteller : Diodes Inc |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 30A 48000mW 3-Pin(3+Tab) ITO-220AB Tube |
auf Bestellung 23000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DGTD65T15H2TF Produktcode: 188218 |
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule |
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DGTD65T15H2TF | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 30A 48W 3-Pin(3+Tab) ITO-220AB Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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DGTD65T15H2TF | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 30A 48W 3-Pin(3+Tab) ITO-220AB Tube |
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