DGTD65T15H2TF Diodes Zetex
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Technische Details DGTD65T15H2TF Diodes Zetex
Description: IGBT FIELD STP 650V 30A ITO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 150 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A, Supplier Device Package: ITO-220AB, IGBT Type: Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 19ns/128ns, Switching Energy: 270µJ (on), 86µJ (off), Test Condition: 400V, 15A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 61 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 30 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A, Power - Max: 48 W.
Weitere Produktangebote DGTD65T15H2TF nach Preis ab 0.80 EUR bis 4.63 EUR
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DGTD65T15H2TF | Hersteller : Diodes Zetex |
 Trans IGBT Chip N-CH 650V 30A 48W 3-Pin(3+Tab) ITO-220AB Tube |
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DGTD65T15H2TF | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 30A 48W 3-Pin(3+Tab) ITO-220AB Tube |
auf Bestellung 23000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DGTD65T15H2TF | Hersteller : Diodes Incorporated |
IGBTs IGBT 600V-X |
auf Bestellung 1212 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DGTD65T15H2TF | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: IGBT FIELD STP 650V 30A ITO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A Supplier Device Package: ITO-220AB IGBT Type: Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 19ns/128ns Switching Energy: 270µJ (on), 86µJ (off) Test Condition: 400V, 15A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 61 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A Power - Max: 48 W |
auf Bestellung 230 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DGTD65T15H2TF | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DGTD65T15H2TF - IGBT, 30 A, 1.65 V, 48 W, 650 V, ITO-220AB, 3 Pin(s) tariffCode: 85411000 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 48W Bauform - Transistor: ITO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 740 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DGTD65T15H2TF | Hersteller : Diodes Inc |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 30A 48000mW 3-Pin(3+Tab) ITO-220AB Tube |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DGTD65T15H2TF | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
DGTD65T15H2TF THT IGBT transistors |
auf Bestellung 574 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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DGTD65T15H2TF Produktcode: 188218
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule |
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DGTD65T15H2TF | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 30A 48W 3-Pin(3+Tab) ITO-220AB Tube |
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DGTD65T15H2TF | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 30A 48W 3-Pin(3+Tab) ITO-220AB Tube |
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