DMG3415U-7
Produktcode: 138016
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
Hersteller:
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Weitere Produktangebote DMG3415U-7 nach Preis ab 0.11 EUR bis 0.87 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
DMG3415U-7 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 93000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||
|
DMG3415U-7 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 93000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||
|
|
DMG3415U-7 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 20V 4A SOT23-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 900mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 294 pF @ 10 V |
auf Bestellung 57000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||
|
|
DMG3415U-7 | DIODES/ZETEX |
P-MOSFET 20V 4A 39mΩ 900mW DMG3415U Diodes TDMG3415uAnzahl je Verpackung: 100 Stücke |
auf Bestellung 2750 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||
|
|
DMG3415U-7 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 20V 4A SOT23-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 900mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 294 pF @ 10 V |
auf Bestellung 57534 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||
|
DMG3415U-7 | Diodes Incorporated |
MOSFETs P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE |
auf Bestellung 8812 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
| DMG3415U-7 |
![]() |
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 93000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.17 EUR |
| DMG3415U-7 |
![]() |
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 93000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.18 EUR |
| 6000+ | 0.15 EUR |
| 15000+ | 0.13 EUR |
| 21000+ | 0.12 EUR |
| 30000+ | 0.11 EUR |
| DMG3415U-7 |
![]() |
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 20V 4A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 294 pF @ 10 V
Description: MOSFET P-CH 20V 4A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 294 pF @ 10 V
auf Bestellung 57000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.19 EUR |
| 6000+ | 0.17 EUR |
| 15000+ | 0.15 EUR |
| 21000+ | 0.14 EUR |
| DMG3415U-7 |
![]() |
Hersteller: DIODES/ZETEX
P-MOSFET 20V 4A 39mΩ 900mW DMG3415U Diodes TDMG3415u
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
P-MOSFET 20V 4A 39mΩ 900mW DMG3415U Diodes TDMG3415u
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 2750 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 200+ | 0.27 EUR |
| DMG3415U-7 |
![]() |
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 20V 4A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 294 pF @ 10 V
Description: MOSFET P-CH 20V 4A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 294 pF @ 10 V
auf Bestellung 57534 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 25+ | 0.86 EUR |
| 40+ | 0.54 EUR |
| 100+ | 0.33 EUR |
| 500+ | 0.25 EUR |
| 1000+ | 0.23 EUR |
| DMG3415U-7 |
![]() |
Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
MOSFETs P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
auf Bestellung 8812 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 0.87 EUR |
| 10+ | 0.54 EUR |
| 100+ | 0.35 EUR |
Mit diesem Produkt kaufen
| ERJ-T08J103V Produktcode: 206520
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| C1206C106K9RACTU Produktcode: 206519
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| 434351045816 Produktcode: 206518
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| 08056C105MAT2A Produktcode: 206517
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MEM2075-00-140-01-A Produktcode: 195900
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH


