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Technische Details DMG3415U-7 Diodes Zetex
Description: MOSFET P-CH 20V 4A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 900mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 294 pF @ 10 V.
Weitere Produktangebote DMG3415U-7 nach Preis ab 0.06 EUR bis 0.75 EUR
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DMG3415U-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
 Trans MOSFET P-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 T/R |
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DMG3415U-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 T/R |
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DMG3415U-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 20V 4A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 900mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 294 pF @ 10 V |
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DMG3415U-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 T/R |
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DMG3415U-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 T/R |
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DMG3415U-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 20V 4A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 900mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 294 pF @ 10 V |
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DMG3415U-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
MOSFETs P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE |
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DMG3415U-7 | Hersteller : Diodes Inc |
Trans MOSFET P-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMG3415U-7 | Hersteller : DIODES/ZETEX |
P-MOSFET 20V 4A 39mΩ 900mW DMG3415U Diodes TDMG3415u Anzahl je Verpackung: 100 Stücke |
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DMG3415U-7 Produktcode: 138016
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld |
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DMG3415U-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 T/R |
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DMG3415U-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 T/R |
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