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DS1220AD-100IND+

DS1220AD-100IND+ Analog Devices / Maxim Integrated

DS1220AB-DS1220AD.pdf Hersteller: Analog Devices / Maxim Integrated
NVRAM 16k Nonvolatile SRAM
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Anzahl Preis
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10+30.01 EUR
28+29.29 EUR
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252+27.03 EUR
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Technische Details DS1220AD-100IND+ Analog Devices / Maxim Integrated

Description: ANALOG DEVICES - DS1220AD-100IND+ - NVRAM, SRAM, 16 Kbit, 2K x 8 Bit, 100 ns, EDIP, tariffCode: 85423245, Bauform - Speicherbaustein: EDIP, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Zugriffszeit: 100ns, Speicherkonfiguration NVRAM: 2K x 8 Bit, IC-Schnittstelle: -, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 4.5V, euEccn: NLR, Speichergröße: 16Kbit, Anzahl der Pins: 24Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 5.5V, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicher: SRAM, SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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DS1220AD-100IND+ DS1220AD-100IND+ Hersteller : Analog Devices Inc./Maxim Integrated DS1220AB-DS1220AD.pdf Description: IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP
Packaging: Tube
Package / Case: 24-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Mounting Type: Through Hole
Memory Size: 16Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Memory Format: NVSRAM
Supplier Device Package: 24-EDIP
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 100ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 100 ns
Memory Organization: 2K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 1869 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+32.72 EUR
14+29.94 EUR
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56+28.5 EUR
112+27.79 EUR
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504+26.28 EUR
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DS1220AD-100IND+ DS1220AD-100IND+ Hersteller : ANALOG DEVICES datasheet?ADICID=SYND_WW_P682800_PF-spglobal Description: ANALOG DEVICES - DS1220AD-100IND+ - NVRAM, SRAM, 16 Kbit, 2K x 8 Bit, 100 ns, EDIP
tariffCode: 85423245
Bauform - Speicherbaustein: EDIP
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Zugriffszeit: 100ns
Speicherkonfiguration NVRAM: 2K x 8 Bit
IC-Schnittstelle: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Speichergröße: 16Kbit
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicher: SRAM
SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (21-Jan-2025)
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DS1220AD-100IND Hersteller : DALLAS ds1220ab-ds1220ad.pdf DIP-24 08+09+
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DS1220AD-100IND+ DS1220AD-100IND+ Hersteller : Analog Devices, Inc. ds1220ab-ds1220ad.pdf NVRAM NVSRAM Parallel 16Kbit 5V 24-Pin EDIP Tube
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DS1220AD-100IND+ Hersteller : Maxim DS1220AB-DS1220AD.pdf MOD/E/16K NONVOLATILE SRAM DS1220
Anzahl je Verpackung: 14 Stücke
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DS1220AD-100IND+ Hersteller : Maxim ds1220ab-ds1220ad.pdf NVRAM NVSRAM Parallel 16Kbit 5V 24-Pin EDIP
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DS1220AD-100IND DS1220AD-100IND Hersteller : Analog Devices Inc./Maxim Integrated ds1220ab-ds1220ad.pdf Description: IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP
Packaging: Tube
Package / Case: 24-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Mounting Type: Through Hole
Memory Size: 16Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Memory Format: NVSRAM
Supplier Device Package: 24-EDIP
Write Cycle Time - Word, Page: 100ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 100 ns
Memory Organization: 2K x 8
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DS1220AD-100IND DS1220AD-100IND Hersteller : Maxim Integrated ds1220ab-ds1220ad-1177842.pdf NVRAM 16k Nonvolatile SRAM
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