DS1220AD-100IND+ Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Hersteller: Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Description: IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP
Packaging: Tube
Package / Case: 24-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Mounting Type: Through Hole
Memory Size: 16Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Memory Format: NVSRAM
Supplier Device Package: 24-EDIP
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 100ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 100 ns
Memory Organization: 2K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 37.1 EUR |
| 14+ | 33.93 EUR |
| 28+ | 33.11 EUR |
| 56+ | 32.29 EUR |
| 112+ | 31.48 EUR |
| 252+ | 30.55 EUR |
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Technische Details DS1220AD-100IND+ Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Description: ANALOG DEVICES - DS1220AD-100IND+ - NVRAM, SRAM, 16 Kbit, 2K x 8 Bit, 100 ns, EDIP, tariffCode: 85423245, Bauform - Speicherbaustein: EDIP, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Zugriffszeit: 100ns, Speicherkonfiguration NVRAM: 2K x 8 Bit, IC-Schnittstelle: -, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 4.5V, euEccn: NLR, Speichergröße: 16Kbit, Anzahl der Pins: 24Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 5.5V, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicher: SRAM, SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (04-Feb-2026).
Weitere Produktangebote DS1220AD-100IND+ nach Preis ab 30.91 EUR bis 37.54 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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DS1220AD-100IND+ | Analog Devices / Maxim Integrated |
NVRAM 16k Nonvolatile SRAM |
auf Bestellung 21 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DS1220AD-100IND+ | ANALOG DEVICES |
Description: ANALOG DEVICES - DS1220AD-100IND+ - NVRAM, SRAM, 16 Kbit, 2K x 8 Bit, 100 ns, EDIP tariffCode: 85423245 Bauform - Speicherbaustein: EDIP rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Zugriffszeit: 100ns Speicherkonfiguration NVRAM: 2K x 8 Bit IC-Schnittstelle: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 4.5V euEccn: NLR Speichergröße: 16Kbit Anzahl der Pins: 24Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicher: SRAM SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (04-Feb-2026) |
auf Bestellung 74 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| DS1220AD-100IND | DALLAS |
DIP-24 08+09+ |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| DS1220AD-100IND+ |
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Hersteller: Analog Devices / Maxim Integrated
NVRAM 16k Nonvolatile SRAM
NVRAM 16k Nonvolatile SRAM
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 37.54 EUR |
| 10+ | 34.34 EUR |
| 28+ | 33.49 EUR |
| 56+ | 32.67 EUR |
| 112+ | 31.84 EUR |
| 252+ | 30.91 EUR |
| DS1220AD-100IND+ |
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Hersteller: ANALOG DEVICES
Description: ANALOG DEVICES - DS1220AD-100IND+ - NVRAM, SRAM, 16 Kbit, 2K x 8 Bit, 100 ns, EDIP
tariffCode: 85423245
Bauform - Speicherbaustein: EDIP
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Zugriffszeit: 100ns
Speicherkonfiguration NVRAM: 2K x 8 Bit
IC-Schnittstelle: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Speichergröße: 16Kbit
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicher: SRAM
SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (04-Feb-2026)
Description: ANALOG DEVICES - DS1220AD-100IND+ - NVRAM, SRAM, 16 Kbit, 2K x 8 Bit, 100 ns, EDIP
tariffCode: 85423245
Bauform - Speicherbaustein: EDIP
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Zugriffszeit: 100ns
Speicherkonfiguration NVRAM: 2K x 8 Bit
IC-Schnittstelle: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Speichergröße: 16Kbit
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicher: SRAM
SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (04-Feb-2026)
auf Bestellung 74 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| DS1220AD-100IND |
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Hersteller: DALLAS
DIP-24 08+09+
DIP-24 08+09+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)