DS1225AB-200+ Analog Devices / Maxim Integrated
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| Anzahl | Preis |
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| 1+ | 41.84 EUR |
| 12+ | 39.21 EUR |
| 24+ | 37.68 EUR |
| 60+ | 37.01 EUR |
| 108+ | 36.2 EUR |
| 252+ | 35.09 EUR |
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Technische Details DS1225AB-200+ Analog Devices / Maxim Integrated
Description: ANALOG DEVICES - DS1225AB-200+ - NVRAM, SRAM, 64 Kbit, 8K x 8 Bit, 200 ns, EDIP, tariffCode: 85423245, Bauform - Speicherbaustein: EDIP, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Zugriffszeit: 200ns, Speicherkonfiguration NVRAM: 8K x 8 Bit, IC-Schnittstelle: -, Betriebstemperatur, min.: 0°C, Versorgungsspannung, min.: 4.75V, euEccn: NLR, Speichergröße: 64Kbit, Anzahl der Pins: 28Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 5.25V, Betriebstemperatur, max.: 70°C, Speicher: SRAM, SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote DS1225AB-200+ nach Preis ab 36.19 EUR bis 42.61 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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DS1225AB-200+ | Hersteller : Analog Devices Inc./Maxim Integrated |
 Description: IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIPPackaging: Tube Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 64Kbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 28-EDIP Write Cycle Time - Word, Page: 200ns Memory Interface: Parallel Access Time: 200 ns Memory Organization: 8K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified |
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DS1225AB-200+ | Hersteller : ANALOG DEVICES |
Description: ANALOG DEVICES - DS1225AB-200+ - NVRAM, SRAM, 64 Kbit, 8K x 8 Bit, 200 ns, EDIP tariffCode: 85423245 Bauform - Speicherbaustein: EDIP rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Zugriffszeit: 200ns Speicherkonfiguration NVRAM: 8K x 8 Bit IC-Schnittstelle: - Betriebstemperatur, min.: 0°C Versorgungsspannung, min.: 4.75V euEccn: NLR Speichergröße: 64Kbit Anzahl der Pins: 28Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.25V Betriebstemperatur, max.: 70°C Speicher: SRAM SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 47 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DS1225AB-200 | Hersteller : DALLAS |
07+ DIP |
auf Bestellung 712 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| DS1225AB-200 | Hersteller : DALLAS |
08+ DIP |
auf Bestellung 558 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| DS1225AB-200 | Hersteller : DALLAS |
09+ |
auf Bestellung 384 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| DS1225AB-200 | Hersteller : DALLAS |
09+ DIP |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| DS1225AB-200 | Hersteller : DALLAS |
DIP |
auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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DS1225AB-200+ | Hersteller : Analog Devices, Inc. |
NVRAM NVSRAM Parallel 64Kbit 5V 28-Pin EDIP Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| DS1225AB-200+ | Hersteller : Maxim |
64K Nonvolatile SRAM DS1225 Anzahl je Verpackung: 12 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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DS1225AB-200 | Hersteller : Analog Devices Inc./Maxim Integrated |
Description: IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP Packaging: Tube Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 64Kbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 28-EDIP Write Cycle Time - Word, Page: 200ns Memory Interface: Parallel Access Time: 200 ns Memory Organization: 8K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified |
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DS1225AB-200 | Hersteller : Maxim Integrated |
NVRAM 64k Nonvolatile SRAM |
Produkt ist nicht verfügbar |