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DS1225AB-200+

DS1225AB-200+ Analog Devices Inc./Maxim Integrated

ds1225ab-ds1225ad.pdf Hersteller: Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Description: IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
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Technische Details DS1225AB-200+ Analog Devices Inc./Maxim Integrated

Description: ANALOG DEVICES - DS1225AB-200+ - NVRAM, SRAM, 64 Kbit, 8K x 8 Bit, 200 ns, EDIP, tariffCode: 85423245, Bauform - Speicherbaustein: EDIP, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Zugriffszeit: 200ns, usEccn: EAR99, Speicherkonfiguration NVRAM: 8K x 8 Bit, IC-Schnittstelle: -, Betriebstemperatur, min.: 0°C, Versorgungsspannung, min.: 4.75V, euEccn: NLR, Speichergröße: 64Kbit, Anzahl der Pins: 28Pin(s), productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 5.25V, Betriebstemperatur, max.: 70°C, Speicher: SRAM, SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (14-Jun-2023).

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DS1225AB-200+ DS1225AB-200+ Hersteller : ANALOG DEVICES datasheet?ADICID=SYND_WW_P682800_PF-spglobal Description: ANALOG DEVICES - DS1225AB-200+ - NVRAM, SRAM, 64 Kbit, 8K x 8 Bit, 200 ns, EDIP
tariffCode: 85423245
Bauform - Speicherbaustein: EDIP
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zugriffszeit: 200ns
usEccn: EAR99
Speicherkonfiguration NVRAM: 8K x 8 Bit
IC-Schnittstelle: -
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 4.75V
euEccn: NLR
Speichergröße: 64Kbit
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Speicher: SRAM
SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (14-Jun-2023)
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DS1225AB-200 Hersteller : DALLAS ds1225ab-ds1225ad.pdf 07+ DIP
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DS1225AB-200+ Hersteller : Maxim ds1225ab-ds1225ad.pdf 64K Nonvolatile SRAM DS1225
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DS1225AB-200 DS1225AB-200 Hersteller : Maxim Integrated ds1225ab-ds1225ad-1177871.pdf NVRAM 64k Nonvolatile SRAM
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DS1225AB-200+ DS1225AB-200+ Hersteller : Analog Devices / Maxim Integrated DS1225AB_DS1225AD-3122192.pdf NVRAM 64k Nonvolatile SRAM
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