DS1230AB-120IND+ Analog Devices / Maxim Integrated
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| Anzahl | Preis |
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| 1+ | 56.16 EUR |
| 12+ | 52.1 EUR |
| 24+ | 50.09 EUR |
| 60+ | 48.12 EUR |
| 108+ | 47.31 EUR |
| 252+ | 46.09 EUR |
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Technische Details DS1230AB-120IND+ Analog Devices / Maxim Integrated
Description: ANALOG DEVICES - DS1230AB-120IND+ - Nichtflüchtiger SRAM (NVSRAM), 256kB, 32Kx8Bit, 120ns Lesen/Schreiben, parallel, 4.75-5.25V, EDIP-28, tariffCode: 85423245, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: eDIP, Speicherdichte: 256Kbit, MSL: -, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 4.75V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 28Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 5.25V, Schnittstellen: Parallel, Zugriffszeit für Schreiben: 120ns, Zugriffszeit für Lesen: 120ns, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicherkonfiguration: 32K x 8 Bit, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote DS1230AB-120IND+ nach Preis ab 48.73 EUR bis 56.21 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||
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DS1230AB-120IND+ | Hersteller : Analog Devices Inc./Maxim Integrated |
 Description: IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIPPackaging: Tube Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 256Kbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 28-EDIP Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 120ns Memory Interface: Parallel Access Time: 120 ns Memory Organization: 32K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified |
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DS1230AB-120IND+ | Hersteller : ANALOG DEVICES |
Description: ANALOG DEVICES - DS1230AB-120IND+ - Nichtflüchtiger SRAM (NVSRAM), 256kB, 32Kx8Bit, 120ns Lesen/Schreiben, parallel, 4.75-5.25V, EDIP-28 tariffCode: 85423245 rohsCompliant: YES IC-Montage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: eDIP Speicherdichte: 256Kbit MSL: - usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 4.75V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 28Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.25V Schnittstellen: Parallel Zugriffszeit für Schreiben: 120ns Zugriffszeit für Lesen: 120ns Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 32K x 8 Bit SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 24 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DS1230AB-120IND | Hersteller : DALLAS |
DIP-28 08+09+ |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| DS1230AB-120IND+ | Hersteller : Maxim |
NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 5V 28-Pin EDIP |
Produkt ist nicht verfügbar |
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DS1230AB-120IND+ | Hersteller : Analog Devices, Inc. |
NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 5V 28-Pin EDIP |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| DS1230AB-120IND+ | Hersteller : Maxim |
MOD/E/256K NONVOLATILE SRAM DS1230 Anzahl je Verpackung: 12 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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DS1230AB-120IND | Hersteller : Maxim Integrated |
Description: IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP |
Produkt ist nicht verfügbar |