DS1230AB-120IND+ Analog Devices / Maxim Integrated
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 56.16 EUR |
| 12+ | 52.1 EUR |
| 24+ | 50.09 EUR |
| 60+ | 48.12 EUR |
| 108+ | 47.31 EUR |
| 252+ | 46.09 EUR |
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Technische Details DS1230AB-120IND+ Analog Devices / Maxim Integrated
Description: ANALOG DEVICES - DS1230AB-120IND+ - Nichtflüchtiger SRAM (NVSRAM), 256kB, 32Kx8Bit, 120ns Lesen/Schreiben, parallel, 4.75-5.25V, EDIP-28, tariffCode: 85423245, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: eDIP, Speicherdichte: 256Kbit, MSL: -, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 4.75V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 28Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 5.25V, Schnittstellen: Parallel, Zugriffszeit für Schreiben: 120ns, Zugriffszeit für Lesen: 120ns, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicherkonfiguration: 32K x 8 Bit, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026).
Weitere Produktangebote DS1230AB-120IND+ nach Preis ab 48.73 EUR bis 56.21 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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DS1230AB-120IND+ | Analog Devices Inc./Maxim Integrated |
 Description: IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIPDigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 32K x 8 Access Time: 120 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 120ns Part Status: Active Supplier Device Package: 28-EDIP Memory Format: NVSRAM Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Memory Type: Non-Volatile Memory Size: 256Kbit Mounting Type: Through Hole Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) Packaging: Tube |
auf Bestellung 72 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DS1230AB-120IND+ | ANALOG DEVICES |
Description: ANALOG DEVICES - DS1230AB-120IND+ - Nichtflüchtiger SRAM (NVSRAM), 256kB, 32Kx8Bit, 120ns Lesen/Schreiben, parallel, 4.75-5.25V, EDIP-28 tariffCode: 85423245 rohsCompliant: YES IC-Montage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: eDIP Speicherdichte: 256Kbit MSL: - usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 4.75V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 28Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.25V Schnittstellen: Parallel Zugriffszeit für Schreiben: 120ns Zugriffszeit für Lesen: 120ns Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 32K x 8 Bit SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) |
auf Bestellung 12 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| DS1230AB-120IND | DALLAS |
DIP-28 08+09+ |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| DS1230AB-120IND+ |
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Hersteller: Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Description: IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 32K x 8
Access Time: 120 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 120ns
Part Status: Active
Supplier Device Package: 28-EDIP
Memory Format: NVSRAM
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Non-Volatile
Memory Size: 256Kbit
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Packaging: Tube
Description: IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 32K x 8
Access Time: 120 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 120ns
Part Status: Active
Supplier Device Package: 28-EDIP
Memory Format: NVSRAM
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Non-Volatile
Memory Size: 256Kbit
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Packaging: Tube
auf Bestellung 72 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 56.21 EUR |
| 12+ | 51.65 EUR |
| 36+ | 49.65 EUR |
| 60+ | 48.73 EUR |
| DS1230AB-120IND+ |
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Hersteller: ANALOG DEVICES
Description: ANALOG DEVICES - DS1230AB-120IND+ - Nichtflüchtiger SRAM (NVSRAM), 256kB, 32Kx8Bit, 120ns Lesen/Schreiben, parallel, 4.75-5.25V, EDIP-28
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: eDIP
Speicherdichte: 256Kbit
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.75V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Schnittstellen: Parallel
Zugriffszeit für Schreiben: 120ns
Zugriffszeit für Lesen: 120ns
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 32K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Description: ANALOG DEVICES - DS1230AB-120IND+ - Nichtflüchtiger SRAM (NVSRAM), 256kB, 32Kx8Bit, 120ns Lesen/Schreiben, parallel, 4.75-5.25V, EDIP-28
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: eDIP
Speicherdichte: 256Kbit
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.75V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Schnittstellen: Parallel
Zugriffszeit für Schreiben: 120ns
Zugriffszeit für Lesen: 120ns
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 32K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| DS1230AB-120IND |
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Hersteller: DALLAS
DIP-28 08+09+
DIP-28 08+09+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH