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DS1230W-100IND+ Analog Devices, Inc.


ds1230w.pdf
Hersteller: Analog Devices, Inc.
NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 3.3V 28-Pin EDIP Tube
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Technische Details DS1230W-100IND+ Analog Devices, Inc.

Description: IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP, Packaging: Tube, Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm), Mounting Type: Through Hole, Memory Size: 256Kbit, Memory Type: Non-Volatile, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V, Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Memory Format: NVSRAM, Supplier Device Package: 28-EDIP, Part Status: Active, Write Cycle Time - Word, Page: 100ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 100 ns, Memory Organization: 32K x 8, DigiKey Programmable: Not Verified.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DS1230W-100IND+ DS1230W-100IND+ Analog Devices, Inc. ds1230w.pdf NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 3.3V 28-Pin EDIP Tube
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DS1230W-100IND+ DS1230W-100IND+ Analog Devices Inc./Maxim Integrated DS1230W.pdf Description: IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
Packaging: Tube
Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Mounting Type: Through Hole
Memory Size: 256Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Memory Format: NVSRAM
Supplier Device Package: 28-EDIP
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 100ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 100 ns
Memory Organization: 32K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
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DS1230W-100IND+ DS1230W-100IND+ Analog Devices / Maxim Integrated DS1230W.pdf NVRAM 3.3V 256k Nonvolatile SRAM
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Description: IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
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Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Mounting Type: Through Hole
Memory Size: 256Kbit
Memory Type: Non-Volatile
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Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Memory Format: NVSRAM
Supplier Device Package: 28-EDIP
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